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欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结（）偏，同时使集电结（）偏。

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考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
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考题 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。 A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏
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考题 晶体管工作在放大区时,发射结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
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考题 晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。
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考题 共发射极电路实现放大的条件?_________ A.晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电结反偏B.正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区C.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流D.输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号
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考题 为了使晶体管正常工作在放大状态,发射结必须加()电压,集电结必须加()电压。
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考题 硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
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考题 工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结、集电结均反偏 D.发射结、集电结均正偏
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考题 为了使晶体管在放大器中正常工作，需要发射结外加（）电压，集电结外加（）电压。
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考题 晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态。
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考题 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A、截止区B、放大区C、饱和区
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考题 晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
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考题 为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）A、发射结正偏，集电结正编B、发射强正编，集电结反编C、发射结正编，集电结零编
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考题 为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（）。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏
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考题 放大电路中设置静态工作点的目的是（）。A、使晶体管的基极电流提高B、使晶体管的集电极电流提高C、为了避开死区D、使晶体管基本上工作在特性曲线的直线段
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考题 要使三极管工作在放大状态，则外电路所加电压必须使三极管的发射结（）偏，同时使集电结（）偏。
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考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
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考题 欲使晶体管具有放大作用，发射结应加（）电压。A、正向B、反向C、0.3VD、0.6V
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考题 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。
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考题 晶体管工作在饱和区时，发射结（），集电结（）；工作在放大区时，集电结（），发射结（）。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
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考题 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（）A、反向B、近似等于零C、不变D、增大
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考题 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。
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考题 在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。
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考题 单选题晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A 集电结正偏，发射结反偏B 集电结反偏，发射集正偏C 集电结，发射结均反偏D 集电结，发射结均正偏
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考题 单选题晶体管工作在放大区的条件是（）。A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结反向偏置，集电结正向偏置C 发射结正向偏置，集电结正向偏置D 发射结反向偏置，集电结反向偏置
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考题 单选题当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A 截止区B 放大区C 饱和区
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