考题
P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。
考题
自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
考题
PN结是()形成的。
A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散
考题
在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
此题为判断题(对，错)。
考题
在P型半导体中,多数载流子是电子,少数载流子是空穴。()
此题为判断题(对，错)。
考题
P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
考题
在N型半导体中（）是多数载流子，（）是少数载流子。
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
考题
N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
考题
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
考题
在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
N型半导体的多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
考题
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是（）
考题
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
考题
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
考题
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
考题
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
考题
在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
考题
填空题N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。