网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

热屏蔽体thermalshield


参考答案

更多 “热屏蔽体thermalshield” 相关考题
考题 干扰影响计算应符合()规定。 A.在进行干扰影响计算时,应计入电信线传播效应的衰减系数; B.当有展蔽体时,应计入屏蔽体800Hz的屏蔽系数; C.对兼作电话用的有线广播双线回路宜按音频双线电话回路计算干扰影响; D.当有屏蔽体时,应计入屏蔽体50Hz的屏蔽系数。

考题 关于高频电磁辐射屏蔽叙述不正确的是( )。A、机理是利用电磁感应现象 B、主要依靠屏蔽体的吸收和反射作用 C、对于微波来说。屏网目数一定要大 D、当屏蔽厚度在10mm以内时,屏蔽效率随屏蔽厚度的增加而增加

考题 后屏过热器主要吸收烟气的对流热。

考题 检查屏式再热器冷却定位管、自夹管应无明显变形,定位管与管屏之间应无明显磨损;屏式再热器下弯头与斜烟道的间距应符合设计要求()

考题 甲板室的容积如何计算围蔽体积?

考题 电磁屏蔽体的边角要园滑。

考题 磁场屏蔽用的屏蔽体用()制成,由于()极小,因而干扰源所产生的磁通大部分被限制在强磁屏蔽体内。

考题 遮蔽体

考题 常用的隔热方法主要有().A、热绝缘B、热屏挡C、通风D、局部降温

考题 高频设备的外壳和屏蔽体的接地总称为高频接地。

考题 屏式再热器

考题 低温过热器允许管壁温度(),分隔屏过热器允许管壁温度(),后屏过热器允许管壁温度(),末级过热器允许管壁温度();辐射再热器允许管壁温度(),屏式再热器允许管壁温度()末级再热器允许管壁温度()。

考题 屏中各管圈的()和()的差别较大,引起屏式过热器的热偏差较大。

考题 中子屏蔽体

考题 电场屏蔽----通常用()的金属材料作屏蔽体,并应保持良好()。

考题 磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用()的金属材料作屏蔽体;对低频交变磁场应采用铁等高导磁率的材料作屏蔽体,并保证磁路畅通。

考题 屏蔽接地按功能划分要求有()。A、磁屏蔽体的接地:其目的是为了防止形成环路产生环流而发生磁干扰。磁屏蔽体的接地主要应考虑接地点的位置以避免产生接地环流。一般要求其接地电阻不大于4ΩB、电磁屏蔽体的接地:其目的是为了减少电磁感应的干扰和静电耦合,保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩC、静电屏蔽体的接地:其目的是为了把金属屏蔽体上感应的静电干扰信号直接导入地中,同时减少分布电容的寄生耦合,保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩD、其屏蔽体应在电源滤波器处,即在进线口处一点接地

考题 电磁屏蔽机房的主要作用是()。A、防止屏蔽体内信息技术设备产生的电磁波向外界发射B、防止对屏蔽体内信息进行窃听C、防止外界电磁发射对屏蔽体内信息技术设备的干扰D、防止非授权人员闯入或破坏

考题 跳机发电机热工故障,励磁屏开关分位,此时发电机保护屏()()指示灯会亮。

考题 判断题电磁屏蔽体的边角要园滑。A 对B 错

考题 名词解释题遮蔽体

考题 单选题丁二酮重量法测定钢中镍,用酒石酸掩蔽Fe3+,Al3+,Ti4+等的干扰,用氨水调节溶液的PH,氨水、掩蔽体、沉淀剂加入的顺序是()A 氨水、掩蔽体、沉淀剂B 掩蔽体、氨水、沉淀剂C 掩蔽体、沉淀剂、氨水D 无需考虑试剂加入顺序

考题 填空题磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用()的金属材料作屏蔽体;对低频交变磁场应采用铁等高导磁率的材料作屏蔽体,并保证磁路畅通。

考题 问答题甲板室的容积如何计算围蔽体积?

考题 填空题磁场屏蔽用的屏蔽体用()制成,由于()极小,因而干扰源所产生的磁通大部分被限制在强磁屏蔽体内。

考题 名词解释题屏式再热器

考题 判断题检查屏式再热器冷却定位管、自夹管应无明显变形,定位管与管屏之间应无明显磨损;屏式再热器下弯头与斜烟道的间距应符合设计要求()A 对B 错