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抑制性突触后电位()

  • A、是"全或无"式的
  • B、可以发生总和
  • C、是突触后膜发生的局部超极化电位
  • D、是突触后膜对Cl通透性增加的结果
  • E、其幅度较兴奋性突触后电位大

参考答案

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考题 抑制性突触后电位() A、是去极化局部电位B、具有全或无性质C、是超极化局部电位D、是突触前膜递质释放量减少所致E、是突触后膜Na+通透性增加所致

考题 抑制性突触后电位A.是去极化局部电位B.有“全或无”性质C.是超极化局部电位D.是突触前膜递质释放量减少所致E.是突触后膜Na+通透性增加所致

考题 抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征SXB 抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征D.突触前膜递质释放减少所致E.突触后膜对Na+通透性增加所致

考题 抑制性突触后电位A.是去极化局部电位B.是超极化局部电位C.具有全或无特征D.是突触前膜递质释放减少所致E.是突触后膜对Na+通透性增加所致

考题 兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B.突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C.突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D.突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E.突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

考题 抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜NA+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致

考题 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性D.突触后膜Na+通透性增加所致E.突触前膜递质释放减少所致

考题 抑制性突触后电位是A、去极化局部电位B、超极化局部电位C、具有全或无特征D、突触前膜递质释放减少所致E、突触后膜对Na+通透性增加所致

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是 A.是局部除极化电位 B.具有“全或无”性质 C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致 E.由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 抑制性突触后电位是A.去极化局部电位 B.超极化局部电位 C.具有全或无特性 D.突触后膜Na通透性增加所致 E.突触前膜递质释放减少所致

考题 抑制性突触后电位( )A.是“全或无”式的 B.有总和现象 C.幅度较兴奋性突触后电位大 D.是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果 E.是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

考题 关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是( )。A.具有全或无性质 B.属去极化局部电位 C.由突触后膜对Na+通透性增加所致 D.属超极化局部电位 E.由突触前膜递质释放量减少所致

考题 关于兴奋性突触后电位()A、是突触前神经冲动引起的全或无反应B、总是会引起动作电位的发生C、重复刺激下可发生时间总和D、突触后膜对Na+通透性较高E、突触后膜对Ca2+通透性较高

考题 抑制性突触后电位()A、是“全或无”式的B、有总和现象C、幅度较兴奋性突触后电位大D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

考题 抑制性突触后电位()A、是去极化局部电位B、是超极化局部电位C、具有全或无特征D、是突触前膜递质释放减少所致E、是突触后膜对Na通透性增加所致

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A、是局部除极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 多选题抑制性突触后电位()A是“全或无”式的B有总和现象C幅度较兴奋性突触后电位大D是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果E是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

考题 单选题下列对抑制性突触后电位描述中正确的是(  )。A 是去极化的局部电位B 具有全或无性质C 是超极化局部电位D 是突触前膜递质释放量减少所致E 是突触后膜Na+通透性增加所致

考题 单选题抑制性突触后电位(  )。A 是局部去极化电位B 具有全或无性质C 是局部超极化电位D 是突触前膜递质释放量减少所致E 足突触后膜Na+通透性增加所致

考题 单选题兴奋性突触后电位的形成是因为()。A 突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B 突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化C 突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化D 突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E 突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

考题 单选题抑制性突触后电位()A 是去极化局部电位B 是超极化局部电位C 具有全或无特征D 是突触前膜递质释放减少所致E 是突触后膜对Na通透性增加所致

考题 多选题抑制性突触后电位()A是全或无式的B可以发生总和C是突触后膜发生的局部超极化电位D是突触后膜对Cl通透性增加的结果E其幅度较兴奋性突触后电位大

考题 单选题兴奋性突触后电位的形成是因为(  )。A 突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B 突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C 突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D 突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E 突触后膜对K+通透性升高,局部去极化