考题
上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
考题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
考题
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
考题
烧结矿属于多孔物料，为了获得强度和还原性都好的烧结矿，应该使烧结矿气孔率降低，__________减小，气孔分布均匀。
考题
（）是指陶瓷坯体干燥入窑烧成时，产生一系列物理化学变化，形体进一步收缩的过程。A、烧成收缩B、干燥收缩C、可塑性D、烧结性
考题
由于粉末体的晶格畸变能比总比表面能高一个数量级，所以在烧结过程中，晶格畸变能的减小是构成粉末烧结的自由能降低即烧结驱动力的主要部分。
考题
使用SLS 3D打印原型件后过程将液态金属物质浸入多孔的SLS坯体的孔隙内的工艺是（）。A、 浸渍B、 热等静压烧结C、 熔浸D、 高温烧结
考题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
烧结矿属于多孔物料，为了获得强度和还原性都好的烧结矿，应该使烧结矿（）降低，（）减小，（）均匀。
考题
下列过程中，哪一个能使烧结体的强度增加而不引起坯体收缩？（）A、蒸发-凝聚B、体积扩散C、流动传质D、溶解-沉淀
考题
试述烧结初期，晶粒长大能促进坯体致密化么？晶粒长大能影响烧结速率么？
考题
判断题由于粉末体的晶格畸变能比总比表面能高一个数量级，所以在烧结过程中，晶格畸变能的减小是构成粉末烧结的自由能降低即烧结驱动力的主要部分。A
对B
错
考题
单选题不是加快烧结反应速率的（）A
增加粉料粒度B
减小粉料粒度C
增大A值D
升高烧结温度
考题
问答题试述烧结初期，晶粒长大能促进坯体致密化么？晶粒长大能影响烧结速率么？
考题
单选题使用SLS 3D打印原型件后过程将液态金属物质浸入多孔的SLS坯体的孔隙内的工艺是（）。A
浸渍B
热等静压烧结C
熔浸D
高温烧结
考题
填空题烧结过程的标志是坯体的强度增加、（）、表面积减小，而不是指烧结体发生致密化或者收缩。
考题
填空题坯体烧结后在宏观上的变化是：（），致密度提高，强度增加。
考题
单选题下列过程中，哪一个能使烧结体的强度增加而不引起坯体收缩？（）A
蒸发-凝聚B
体积扩散C
流动传质D
溶解-沉淀
考题
问答题在烧结时，晶粒生长能促进坯体致密化吗？晶粒生长会影响烧结速率吗？试说明之。
考题
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A
低于体瓷烧结温度5℃B
低于体瓷烧结温度10℃C
高于体瓷烧结温度5℃D
高于体瓷烧结温度10℃E
以上均不正确
考题
单选题在烧结过程中，只改变气孔形状而不引起坯体收缩的传质方式是（）。A
扩散传质B
蒸发－凝聚传质C
流动传质D
溶解－沉淀传质
考题
单选题在烧结过程中只改变坯体中气孔的形状而不引起坯体致密化的传质方式是（）。A
流动传质B
蒸发—凝聚传质C
溶解—沉淀D
扩散传质
考题
判断题坯体的烧成温度就是坯体的烧结温度。A
对B
错
考题
单选题下列选项烧结的推动力是（）A
粉末物料的表面能等于多晶烧结体的界面能B
粉末物料的表面能大于多晶烧结体的界面能C
粉末物料的表面能小于多晶烧结体的界面能D
粉末物料的表面能不小于多晶烧结体的界面能
考题
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A
与体瓷的烧结温度相同B
低于体瓷烧结温度6～8℃C
低于体瓷烧结温度10～20°CD
高于体瓷烧结温度6～8℃E
高于体瓷烧结温度10～20℃