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蒸铝烧结除去背结的方法仅适应于N、P型太阳电池。

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考题 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称______，若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体／NPN型半导体B.N型半导体／P型半导体C.PN结／PN结D.P型半导体／N型半导体
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考题 PN结的正向接法是P型区接电源的()极,N型区接电源的()极。
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 ()结具有单向导电能力,将P型半导体连电池()极,n型半导体连电池()极,电流能通过()结流通。
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考题 目前市场上的承重用P型砖和M型砖，属于下列( )类砖。A.烧结普通砖 B.烧结多孔砖 C.蒸压灰砂砖 D.蒸压粉煤灰砖
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考题 目前市场上的承重用P型砖和M型砖，属于下列哪类砖？( )A.烧结普通砖 B.烧结多孔砖 C.蒸压灰砂砖 D.蒸压粉煤灰砖
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考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。
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考题 （）结具有单向导电能力，将n型半导体连电池（）极，p型半导体连电池（）极，电流不能通过（）结流通。
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考题 天门冬产地加工应于秋、冬二季采挖，除去根头及须根，洗净泥土，煮或蒸至透心后，趁热除去外皮，洗净，干燥。（）
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考题 P型半导体，N型半导体，PN结都具有单向导电性。
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考题 1N4007中的“1”表示含义为（）的数量。A、PN结B、P型半导体C、N型半导体D、管子封装材料
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考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。A、电子B、空穴C、质子D、原子
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考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。
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考题 制作太阳电池的工艺中不包括下列哪个方面（）。A、硅片表面准备B、制备防透膜C、去背结D、制结
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考题 异质结太阳能电池的结构是在P型基片上，覆盖一层n型顶区层，两者的交界面构成一个异质结，然后在顶区层下面制作栅状金属电场，正背制作底面金属电极。
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考题 制造电极的方法有三种（）是目前在商品化电池生产中大量采用的工艺方法。A、真空蒸镀法B、铝浆印刷烧结法C、化学镀镍法D、其他
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考题 蒸压加气混凝土性能试验方法（GB/T 11969-2008）标准适用于（）。A、烧结普通砖B、烧结多孔砖C、蒸压加气混凝土D、蒸压灰砂砖
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考题 蒸压加气混凝土性能试验方法（GB/T 11969-2008）标准有关适用范围，错误的有（）。A、烧结普通砖B、烧结多孔砖C、蒸压加气混凝土D、蒸压灰砂砖
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。
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考题 什么是P型半导体、N型半导体、PN结？
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考题 当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
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考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下N区的（）向P区运动。
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考题 填空题浅结制备的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型浅结比（）型浅结更难制备。P型浅结常用（）、（）、（）来获得。
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考题 判断题天门冬产地加工应于秋、冬二季采挖，除去根头及须根，洗净泥土，煮或蒸至透心后，趁热除去外皮，洗净，干燥。（）A 对B 错
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