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在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学气相沉积法生产的氮化硅膜会产生哪两种效果？
参考答案
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考题
利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A、物理气相沉积（PVD）B、物理气相沉积（CVD）C、化学气相沉积（VCD）D、化学气相沉积（CVD）
考题
单选题利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A
物理气相沉积（PVD）B
物理气相沉积（CVD）C
化学气相沉积（VCD）D
化学气相沉积（CVD）
考题
填空题等离子增强反应沉积中，由于等离子体中（）、（）和（）相互碰撞，可以大大降低沉积温度，例如硅烷和氨气的反应在通常条件下，约在850℃左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应的条件下，只需在350℃左右就可以生成氮化硅。
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