考题
半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）
考题
半导体主要特性（）A、光敏B、热敏C、掺杂D、电阻
考题
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
考题
半导体具有以下特征：（）。A、热敏特性B、光敏特性C、掺杂特性D、绝缘特性
考题
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
考题
试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
考题
掺杂半导体中影响电子电导率的主要因素是（）、（）、和（）。
考题
本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
考题
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
考题
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
考题
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
考题
半导体有三个主要特性：（）热敏特性、掺杂特性。
考题
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
考题
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A
与掺杂浓度和温度无关B
只与掺杂浓度有关C
只与温度有关D
与掺杂浓度和温度有关
考题
判断题半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。A
对B
错
考题
问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
考题
判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的掺杂半导体。A
对B
错