考题
500型万用表用于半导体正反向电阻测量应选()。
A、R*10B、R*100C、R*1000D、R*10K
考题
测量二极管正反向电阻,应选择万用表的()挡位。
A、R1B、R10C、R100或R1kD、R10k
考题
检测小功率晶体三极管的正反向电阻，可以用万用表R×1Ω或R×10KΩ挡。
考题
用指针式万用表测量晶闸管的阳极-阴极、阳极-门极、阴极-门极之间正、反向电阻时，应使用万用表的（）Ω档。A、R×1；B、R×10和R×1k；C、R×100或R×1k；D、R×10k。
考题
用万用表测量半导体二极管时，万用表电阻档应调到（）档。A、R×1；B、R×100；C、R×1000；D、R×10。
考题
用万用表测量电阻值为10～20Ω电阻时，应选用（）档测量。A、R×1B、R×l0C、R×100D、R×l000
考题
用500型万用表测量电阻约为10kΩ电阻，其电阻档应放在（）档上。A、R×10B、R×100C、R×1000D、R×10K
考题
使用500型万用表测量一个10～20Ω的电阻。“Ω”挡的量限倍率应选用（）A、R×1B、R×10C、R×100D、R×1k
考题
使用500型万用表测量一个800～900Ω的电阻、“Ω”挡量限倍率应选用（）。A、R×1B、R×10C、R×100D、R×1k
考题
用万用表测量半导体二极管时，万用表电阻挡应调到（）。A、R×1挡；B、R×100挡；C、R×100k挡；D、R×10挡。
考题
将万用表置于R×1kΩ或R×10kΩ，测量晶闸管阳极和阴极之间的正反向阻值时，可将万用表置于（）等挡。 A、R×1kΩB、R×10kΩC、R×10ΩD、直流电压100VE、直流电流50mA
考题
判断三极管极性时，不能用万用表的（）档。A、R×10B、R×100C、R×1kD、R×10k
考题
用万用表测量半导体元件的正反向电阻时，应用（）档位。A、R*100B、R*1KC、R*10K
考题
用万用表测量小功率二级管时，需把万用表的旋钮拔到（）然后用两根表棒测量二级管的正反向电阻值A、电阻R*100挡或R*1k挡B、R*1k挡C、R*10k挡
考题
用万用表测量小功率时，不能将万用表的旋钮拨到（）测量二极管的正反向电阻值，因为该挡电压较高，容易损坏二极管A、电阻R*100挡B、R*1k挡C、R*10k挡
考题
用万用表检测二极管时，应选（）或（）档。A、R*10B、R*100C、R*1000D、R*10000E、R*1F.R*0.1
考题
用万用表欧姆档测量3DG6型晶体管的穿透电流应该用（）档为好。A、R×1或R×10B、R×100C、R×1KD、R×10K
考题
用万用表测量二极管的极性时，万用表的量程应选择（）A、R×10K档；B、R×10档；C、R×100档或R×1K档；D、R×1档
考题
用万用表欧姆档检测某高频电感时，宜选用的倍率是（）A、R×1B、R×100C、R×1KD、R×10K
考题
用万用表的（）欧姆挡测量发电机“F”（磁场）接柱与“-”（搭铁）接柱之间电阻值。A、R×1B、R×100C、R×1KD、R×10K
考题
测量晶体二极管的正反向电阻时，应将万用表欧姆档的量程拨到（）的位置。A、R³1或³10B、R³100或R³1KC、R³10KD、任意档位
考题
用万用表精确测量电阻80Ω阻值时，应选择（）。A、R×1B、R×10C、R×100D、R×1K
考题
用万用表测量半导体二极管时，万用表电阻档应调整到（）档。A、R*1B、R*100C、R*100kD、R*10
考题
用万用表测量半导体二极管时，万用表电阻挡应调到（）挡。A、R×1；B、R×100；C、R×100k；D、R×10。
考题
用指针式万用表电阻档测试晶闸管好坏时，测反向电阻可以使用R×10k，测正向电阻时，绝不可以使用R×10k档。
考题
用指针式万用表欧姆档测量晶体管时，应选用（）档。A、R×1ΩB、R×10ΩC、R×10ｋΩD、R×100Ω或R×1ｋΩ
考题
用万用表的电阻档测量2AP9二极管正反向电阻时，应该选择（）档。A、R×1欧姆B、R×100欧姆C、R×10K欧姆D、万用表任意