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场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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考题 场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
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考题 当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( )。 A.增大B.不变C.减小
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
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考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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考题 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将() A.增大B.不变C.减小D.不确定
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考题 场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。 A.原极；B.漏极；C.栅极；
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。
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考题 （）不是场效应管的电极.A、阳极B、源极C、漏极D、栅极
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考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力很强。A、S越大，说明栅极电流B、S越大，说明栅极电压C、S越小，说明栅极电压D、S越大，说明栅极电流
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考题 场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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考题 场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压
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考题 场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
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考题 场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。A、增大B、减小C、不变
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考题 衡量场效应管控制能力的主要参数是（）A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、跨导D、转移电阻
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考题 场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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考题 场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
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考题 场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
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考题 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。A、增大B、不变C、减小
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
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考题 判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A 对B 错
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考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
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