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绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．

  • A、栅极电流
  • B、发射极电流
  • C、栅极电压
  • D、发射极电压

参考答案

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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
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考题 当外加阳极电压一定时,将栅极电压由零逐渐降低,阳极电流也减少,当栅极电压为某一负值时(Ug0),阳极电流降为零,此时对应的负栅偏压叫()栅压。 A.饱和B.截止C.动态D.静态
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考题 GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
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考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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考题 下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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考题 当外加阳极电压一定时，将栅极电压由零逐渐降低，阳极电流也减少，当栅极电压为某一负值时（Ug0），阳极电流降为零，此时对应的负栅偏压叫（）栅压。A、饱和B、截止C、动态D、静态
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考题 MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
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考题 绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
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考题 要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压
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考题 为了获得反相电压放大，则应选用（）放大电路。A、共发射极B、共集电极C、共基极D、共栅极
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考题 场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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考题 对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，同时在基极上也施加正电压，那么（）。A、集电极电流导通B、基极电流导通C、发射极电流导通D、电流都不导通
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考题 绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
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考题 绝缘栅双极晶体管属于（）控制元件。A、电压B、电流C、功率D、频率
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 正确使用振荡管，除了确保灯丝的预热步骤正确合理、预热时间足，以及保证灯丝电压稳定和其他各极电压和电流不得超过额定值以外，还要特别注意（）的冷却和防止管子出现真空度不足的现象。A、发射极B、阳极C、栅极D、控制极
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力越强。A、S越大，说明栅极电压B、S越大，说明栅极电流C、S越小，说明栅极电压D、S越小，说明栅极电流
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考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
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考题 填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
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考题 判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A 对B 错
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考题 填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
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