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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF,加压10kV,电桥分流器的位置选择哪一档为宜()。

  • A、0.01
  • B、0.025
  • C、0.06
  • D、0.15

参考答案

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考题 在QSl西林电桥的测量操作中,若分流器挡位设置电流值大于试品实际电流值,则电桥R3的调节值需趋向最高限制,电桥才能趋向平衡。( )

考题 194、测量大变压器的直流电阻,因阻值较小,应该使用()。(A)西林电桥(QS1电桥);(B)惠斯顿电桥测量;(C)凯尔文电桥测量。

考题 测量大变压器的直流电阻,因阻值较小,应该使用()A西林电桥(QS1电桥)B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量

考题 QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错

考题 计算题:用QS1电桥测量110KV套管介损tg时,试验电压为10KV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算CX之值。(R4为定值3184Ω)

考题 在使用技术条件允许范围内,QS1交流电桥的测量灵敏度与试验电压成()比,与标准电容器电容量成()比。

考题 采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。

考题 测量分流器的电阻应使用单臂电桥来测量,而测量阻值为200Ω的标准电阻应使用双臂电桥来测量。

考题 QS1电桥测量介质损耗角的反接法适用于试品一端接地的情况。

考题 QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。

考题 试品电容量约15000pF,使用QS1型西林电桥,施加10kV测量其tgδ时,电桥分流器位置宜选定在()档位置A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15

考题 在QS1型西林电桥测量操作中,若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值,则电桥的调节值需趋向最高值,电桥R3才能趋向平衡。

考题 为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

考题 在现场使用QS1交流电桥时,根据试品的大约电容量估算R3的值,若R3的值偏大很多时,电桥趋于平衡,则故障的原因可能是连接Cx的引线断线。

考题 试品电容量约为15000pF,当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时,电桥分流器档位宜设置在()档A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15

考题 用QS1型西林电桥测量介损时,怎样选择分流器位置?若被试品电容量约为4000pF(U=10kV)分流器应在何位置?

考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)

考题 交流QS1电桥,虽然精度较低,但具有携带(),操作简单、适合()使用的特点。电桥本体及标准电容器CN均具有加强绝缘,能适应10kV电压下()测量的需要,可方便地用于现场外壳()的试品。

考题 使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV,电桥分流器的位置选择()档为宜。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15

考题 测量tgδ时,为何要选择QS1电桥的分流位置?

考题 在QSI型西林电桥测量操作中,若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值,则电桥R3的调节值需趋向最高限值,电桥才能趋抽平衡。

考题 使用QS1电桥时,根据试品电容量估算R3的值,若R3偏大很多时,电桥才趋于平衡,试问故障原因和如何检查?

考题 判断题在QS1型西林电桥测量操作中,若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值,则电桥的调节值需趋向最高值,电桥R3才能趋向平衡。A 对B 错

考题 问答题一台变压器,用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时,已知试验电压为10KV,标准电容CN为50皮法,分流器在0.06档,电桥平衡时,R3为64欧,e为0.4欧,tgδ为0.8%,试计算Cx之值(R4为3184欧)。

考题 判断题QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。A 对B 错

考题 单选题试品电容量约为15000pf,当用10kvqs1型西林电桥测量其tgδ及C时,电桥分流器档位宜设置在( )档A 0.01B 0.025C 0.06D 0.15

考题 单选题试品电容量约15000pF,使用QS1型西林电桥,施加10kV测量其tgδ时,电桥分流器位置宜选定在()档位置A 0.01B 0.025C 0.06D 0.15