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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。

  • A、0.01
  • B、0.025
  • C、0.06
  • D、0.15

参考答案

更多 “使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15” 相关考题
考题 194、测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）。（A）西林电桥（QS1电桥）；（B）惠斯顿电桥测量；（C）凯尔文电桥测量。
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考题 测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）A西林电桥（QS1电桥）B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量
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考题 QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错
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考题 在使用技术条件允许范围内，QS1交流电桥的测量灵敏度与试验电压成（）比，与标准电容器电容量成（）比。
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考题 采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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考题 QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m
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考题 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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考题 QS1电桥测量介质损耗角的反接法适用于试品一端接地的情况。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩
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考题 QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。
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考题 在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。
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考题 为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
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考题 在现场使用QS1交流电桥时，根据试品的大约电容量估算R3的值，若R3的值偏大很多时，电桥趋于平衡，则故障的原因可能是连接Cx的引线断线。
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考题 QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）A、电场干扰B、温度影响C、被试设备局部绝缘缺陷的影响D、测量电压的影响
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考题 用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
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考题 测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。A、试品电容量较大，影响较小B、试品电容量较大，影响较大C、与试品电容量无关
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考题 交流QS1电桥，虽然精度较低，但具有携带（），操作简单、适合（）使用的特点。电桥本体及标准电容器CN均具有加强绝缘，能适应10kV电压下（）测量的需要，可方便地用于现场外壳（）的试品。
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考题 使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
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考题 变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
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考题 使用QS1电桥时，根据试品电容量估算R3的值，若R3偏大很多时，电桥才趋于平衡，试问故障原因和如何检查？
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考题 QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
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考题 判断题QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A 对B 错
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考题 单选题试品电容量约为15000pF，当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在（）档A 0.01B 0.025C 0.06D 0.15
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考题 判断题在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。A 对B 错
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考题 单选题试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置A 0.01B 0.025C 0.06D 0.15
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