考题
测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）A西林电桥（QS1电桥）B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量
考题
QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错
考题
计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
考题
在使用技术条件允许范围内，QS1交流电桥的测量灵敏度与试验电压成（）比，与标准电容器电容量成（）比。
考题
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
考题
QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。A、0.2mB、0.5mC、1mD、1.5m
考题
在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
考题
QS1电桥测量介质损耗角的反接法适用于试品一端接地的情况。
考题
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。
考题
QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。
考题
在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。
考题
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
考题
在现场使用QS1交流电桥时，根据试品的大约电容量估算R3的值，若R3的值偏大很多时，电桥趋于平衡，则故障的原因可能是连接Cx的引线断线。
考题
QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）A、电场干扰B、温度影响C、被试设备局部绝缘缺陷的影响D、测量电压的影响
考题
使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
考题
用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
考题
用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
考题
交流QS1电桥，虽然精度较低，但具有携带（），操作简单、适合（）使用的特点。电桥本体及标准电容器CN均具有加强绝缘，能适应10kV电压下（）测量的需要，可方便地用于现场外壳（）的试品。
考题
如果QS1交流电桥的工作电压高于10kv，只能采用（）接线法，并配用（）标准电容器．
考题
变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
考题
使用QS1电桥时，根据试品电容量估算R3的值，若R3偏大很多时，电桥才趋于平衡，试问故障原因和如何检查？
考题
QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。
考题
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
考题
判断题QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A
对B
错
考题
单选题试品电容量约为15000pF，当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在（）档A
0.01B
0.025C
0.06D
0.15
考题
判断题在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。A
对B
错
考题
单选题试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置A
0.01B
0.025C
0.06D
0.15