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判断题
次级成核过程受到晶体-晶体、晶体-搅拌器等之间碰撞的影响。
A

B


参考答案

参考解析
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考题 在结晶化热处理工艺过程中,不影响铸造陶瓷材料晶体形成数量和性能的因素是A、成核剂B、成核温度C、结晶化温度D、结晶化热处理升温速度E、冷却温度

考题 晶体主要包括()等。 A.离子晶体B.原子晶体C.分子晶体D.金属晶体

考题 以下哪种结晶机制能够控制晶体的晶型() A、次级成核B、生长C、初级成核D、以上均可

考题 形成结石的主要因素是() A、尿中晶体过多B、晶体聚合抑制物质减少C、成核基质的存在D、以上都是E、以上均非

考题 结晶过程包括( )两个阶段。A.静置B.晶体颗粒变大C.成核D.晶体生长

考题 晶体主要包括()晶体、()晶体、()晶体和金属晶体等。

考题 晶体主要包括离子晶体、原子晶体、( )晶体和金属晶体等

考题 溶质从溶液中结晶出来,要经历两个步骤。首先要产生被称为晶核的微小晶粒作为结晶的核心,这个过程称为()。然后晶核长大,成为宏观的晶体,这个过程称为()。这两个过程,都必须以浓度差即溶液的()作为推动力,它的大小直接影响成核和晶体成长过程的快慢,而这两个过程的快慢又影响晶体产品的粒度分布。

考题 在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。A、离子晶体B、分子晶体C、原子晶体D、金属晶体

考题 相变是指()之间的转变过程。A、相与相B、组织与组织C、晶体与晶体D、晶胞与晶胞

考题 结晶过程包括()两个阶段。A、静置B、晶体颗粒变大C、成核D、晶体生长

考题 晶体的缺陷对晶体材料的性质有很大的影响。

考题 根据晶体中质点以及质点之间相互作用力的不同,可以把晶体主要分为:离子晶体、金属晶体、原子晶体和分子晶体。

考题 绝热蒸发结晶器中如果晶体的颗粒有大有小,则在结晶过程中两种晶体会()。A、同时长大B、小晶体长大,大晶体减小C、大晶体长大,小晶体减小D、同时缩小

考题 以下关于晶体的说法中正确的是()。A、晶体根据结构和性质只可分为分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体四大类B、任何晶体中都含有化学键,如离子键、共价键、金属键、氢键等C、含有阳离子的晶体一定属于离子晶体D、干冰和冰都属于分子晶体

考题 原子晶体,其晶格结点上的微粒之间的力是(),这类晶体一般熔沸点(),例如()晶体就是原子晶体。

考题 影响晶体干涉的颜色的因素有()A、晶体的双折射率B、晶体薄片的厚度C、晶体光率体主轴D、入射光的波长

考题 结晶过程中,溶质过饱和度大小()。A、不仅会影响晶核的形成速度,而且会影响晶体的长大速度B、只会影响晶核的形成速度,但不会影响晶体的长大速度C、不会影响晶核的形成速度,但会影响晶体的长大速度D、不会影响晶核的形成速度,而且不会影响晶体的长大速度

考题 晶体的生长过程由溶质()和晶体()组成。

考题 对流对晶体过程的影响是什么?

考题 判断题次级成核过程受到晶体-晶体、晶体-搅拌器等之间碰撞的影响。A 对B 错

考题 判断题晶体成核机理中的二次成核在微溶化合物的沉淀过程中起主导作用。A 对B 错

考题 单选题结晶过程中,溶质过饱和度大小()。A 不仅会影响晶核的形成速度,而且会影响晶体的长大速度B 只会影响晶核的形成速度,但不会影响晶体的长大速度C 不会影响晶核的形成速度,但会影响晶体的长大速度D 不会影响晶核的形成速度,而且不会影响晶体的长大速度

考题 问答题晶体成核的机理是什么?

考题 单选题以下关于晶体的说法中正确的是()。A 晶体根据结构和性质只可分为分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体四大类B 任何晶体中都含有化学键,如离子键、共价键、金属键、氢键等C 含有阳离子的晶体一定属于离子晶体D 干冰和冰都属于分子晶体

考题 单选题在图像、伴音等放大电路中晶体管可选用()。A 高频晶体管B 低频晶体管C 中频晶体管D 大功率晶体管

考题 单选题实际金属晶体与单金属晶体的塑性变形相比,将受到()的影响。A 晶界B 晶粒位向C 晶粒度D 以上均是

考题 多选题晶体主要包括()等。A离子晶体;B原子晶体;C分子晶体;D金属晶体。