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温度升高时，可控硅的触发电流、维持电流将要减小，正反向漏电电流将增大。

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考题 随着温度的升高,三极管的参数:() A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变
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考题 随温度的升高,三极管:() A、反向电流减小B、反向电流增大C、电流放大系数增大D、电流放大系数减小
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考题 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定
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考题 在规定条件下,维持可控硅导通所必需的最小正向电流称为()电流。 A、触发B、正向平均C、维持D、额定
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考题 当环境温度升高时,二极管的反向电流将() A、增大B、减小C、不变
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考题 温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、先变大后变小
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考题 电阻不变，电压升高时（）。A、电流减小B、电流不变C、电流增加D、温度升高
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考题 可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
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考题 当阳极电流减小到（）以下时，晶闸管才能恢复阻断状态。A、正向漏电流B、通态平均电流C、擎住电流D、维持电流
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考题 可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之增大。
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考题 可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之则增大。
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考题 温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流增大。
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考题 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、等于零
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考题 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将要（）。A、增加B、减小C、不变
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考题 当温度降低时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）；当温度升高时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）。
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考题 当温度降低时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）。
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考题 晶闸管正向阻断时，阳极与阴极间只有很小的（）。A、正向漏电流B、反向漏电流C、正向导通电流D、反向击穿电流
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考题 维持可控硅继续导通的最小（）电流叫可控硅的最小维持电流。A、阳极B、阴极C、正向D、反向
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考题 关于晶体管的反向漏电流，相同功率的锗管反向漏电流大于（）反向漏电流。
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考题 单选题可控硅关断的条件是（）。A 控制极电流小于维持电流B 阳极电流小于维持电流C 控制极加反向电压D 阳极加正向电压
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考题 判断题温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流增大。A 对B 错
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考题 填空题当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会（）。
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考题 判断题可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之增大。A 对B 错
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考题 判断题可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之则增大。A 对B 错
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考题 填空题当温度降低时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）。
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考题 填空题当温度降低时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）；当温度升高时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）。
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