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可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。

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考题 晶闸管从阻断转为导通,必须同时具备的两个条件是( )。 A、阳极正向电压和门极反向电流B、阳极反向电压和门极反向电流C、阳极反向电压和门极正向电流D、阳极正向电压和门极正向电流
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考题 硅整流二极管的额定电压是指()。 A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
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考题 晶闸管的额定电压是指()。 A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压
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考题 选择晶闸管的型号一般根据:( ) A、额定电压和平均电流;B、额定电流和正向转折电压;C、额定电压和额定电流;D、平均电流和正向转折电压。
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考题 UF指的是( )。A、正向平均电流B、正向压降C、反向重复峰值电压D、浪涌电流
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考题 晶闸管的几个主要参数是()。A.额定通态平均电流B.维持电流C.断态重复峰值电压D.反向重复峰值电压
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考题 晶体二极管的主要特性参数有：①最大正向电流；②反向电流；③反向×××电压。
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考题 在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200V B.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200V C.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200V D.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
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考题 在实际安装与维修设备时主要考虑的是晶闸管的（）。A、正向平均管压降UT（AV）B、维持电流IHC、反向重复峰值电压URRMD、额定电压URRME、额定电流IT（AV）
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考题 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
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考题 硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复平均电压D、正向不重复平均电压
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考题 晶体二级管的两个最重要参数是（）A、正向电压和反向电流B、额定工作电流和反向工作电压C、正向电阻和正向电流D、反向电流和反向电压
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考题 晶闸管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
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考题 晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV）  E、维持电流IH
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考题 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
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考题 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。
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考题 试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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考题 晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
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考题 可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。
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考题 晶闸管的主要参数有（）。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压
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考题 一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
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考题 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
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考题 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
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考题 通常所说多少伏的可控硅，是指它的（）是多少伏。A、正向阻断峰值电压B、正向转折电压C、整流电压D、整流电流
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考题 单选题可控硅关断的条件是（）。A 控制极电流小于维持电流B 阳极电流小于维持电流C 控制极加反向电压D 阳极加正向电压
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考题 问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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考题 填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。
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