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判断题
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺:扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单,所以被广泛采用。
A

B


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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

考题 导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂,指用碱金属进行掺杂。()

考题 导电聚合物的还原掺杂(也称n型掺杂)一般是用卤素掺杂。()

考题 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。

考题 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

考题 通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是()。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散

考题 半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?

考题 根据扩散原理,将三价(硼)或五价(磷)杂质原子掺入到硅半导体材料中()A、 温度越高,掺杂越快B、 温度越低,掺杂越快C、 温度恒定,掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关

考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷

考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于()A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

考题 填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用(),N型掺杂的源气常用()和()。对GaAs做N型掺杂的源气常用()

考题 判断题热扩散掺杂的工艺可以一步实现。A 对B 错

考题 问答题经过哪些工艺流程可以实现选择“掺杂”?写出工艺流程。

考题 问答题简述掺杂工艺流程

考题 判断题相同掺杂浓度下,多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。A 对B 错

考题 单选题在较先进的集成电路制造工艺中,通常采()来实现掺杂。A 刻蚀B 离子注入C 光刻D 金属化

考题 单选题现代集成电路制造工艺中,主流掺杂技术为()A 扩散B 化学机械抛光C 刻蚀D 离子注入

考题 问答题为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻,对多晶硅的掺杂有何要求?

考题 问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?

考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错

考题 判断题离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A 对B 错

考题 单选题根据扩散原理,将三价(硼)或五价(磷)杂质原子掺入到硅半导体材料中()A  温度越高,掺杂越快B  温度越低,掺杂越快C  温度恒定,掺杂最快D  掺杂快慢与温度无关

考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

考题 判断题在现代集成电路加工技术中,主流的掺杂技术是扩散掺杂。A 对B 错

考题 判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术,一次掺杂成功。A 对B 错

考题 问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具?掺杂的Poly-Si的主要用途。写出掺杂的Poly-Si做栅电极的6个原因。

考题 判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶,靶材料可以是晶体,也可以是非晶体,非晶靶也称为无定形靶。A 对B 错