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假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

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考题 表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。A、分凝度B、固溶度C、分凝系数D、扩散系数
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考题 γ-Fe中碳的固溶度为2.11％，α-Fe中碳的固溶度则是0.0218％，为什么γ-Fe中的溶入量要比α-Fe大？
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考题 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
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考题 CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
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考题 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A、预B、再C、选择
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考题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A、4～6hB、50min～2hC、10～40minD、5～10min
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考题 通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散
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考题 一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。A、恒定总掺杂剂量B、不恒定总掺杂剂量C、恒定杂志浓度D、不恒定杂志浓度
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考题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A、1050～1200℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、1200～1350℃
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考题 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A、使薄膜的介电常数变大B、可能引入杂质C、可能使薄膜层间短路D、使薄膜介电常数变小E、可能使薄膜厚度增加
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考题 根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
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考题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
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考题 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
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考题 CaF2的溶度积常数表达式为（），Bi2S3的溶度积常数表达式为（）。
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考题 判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A 对B 错
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考题 单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A  激活杂质后B  一种物质在另一种物质中的运动C  预淀积D  高温多步退火
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考题 单选题受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散是（）。A 本征扩散B 非本征扩散C 正扩散D 逆扩散
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考题 单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A  温度越高，掺杂越快B  温度越低，掺杂越快C  温度恒定，掺杂最快D  掺杂快慢与温度无关
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考题 判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A 对B 错
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考题 问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错
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考题 判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A 对B 错
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考题 名词解释题杂质固溶度
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考题 填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
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考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
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考题 名词解释题预淀积
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考题 判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A 对B 错
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