考题
PN结反向偏置时,处于截至状态,呈高电阻,反向电流小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
反向电压引起反向电流急增时的PN结处于()状态,该状态是()二极管的稳压工作状态。
考题
PN结具有()性能,即加正向电压时,形成的正向电流();加反向电压时,形成的反向电流()。
考题
二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。
A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结
考题
PN结P区的电位高于N区的电位称为（），简称正偏，此时电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
PN结外加（）电压时，电路中只有很小的电流。A、直流B、交流C、正向D、反向
考题
PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
考题
当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变
考题
PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
考题
如果PN结的反向电流急剧增加，称为（）A、反向导通B、反向截止C、反向击穿D、反向饱和
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
考题
晶体三极管是由（）A、2个PN结组成，具有单向导电特性B、2个PN结组成，具有电压和电流放大特性C、2个PN结组成，具有电流放大特性D、2个PN结组成，具有电压放大特性E、 3个PN结组成，具有电压和电流放大特性
考题
PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
PN结反向工作时，流过的电流主要是（）A、扩散电流B、漂移电流C、传导电流D、扩散和漂移电流并存
考题
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
考题
当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。A、大于B、小于C、等于
考题
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
考题
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
考题
PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增加B、其正向电流增加C、其反向电流基本不变D、其反向电流减小
考题
稳压管虽然工作在反向击穿区，但只要（）不超过允许值，PN结不会过热而损坏。A、电压B、反向电压C、电流D、反向电流
考题
填空题PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。