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在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()


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考题 本征半导体温度升高后,两种载流子浓度不再相等。()

考题 温度越高时,本征半导体内部的本征激发产生的载流子 。

考题 5、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

考题 2、关于本征半导体,下列说法哪些是正确的?A.本征半导体的载流子浓度来源于本征激发B.本征半导体,电子浓度等于空穴浓度C.本征半导体的载流子浓度与温度无关D.一定温度下,半导体的禁带宽度越大,本征载流子浓度越小

考题 对于处于饱和区的半导体硅材料,温度升高将导致本征载流子浓度()。A.变大B.变小C.不变D.以上都不对

考题 51、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

考题 在一定温度下,半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方,而与掺杂无关。

考题 23、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

考题 本征半导体中,温度升高,电子数会增加,空穴数量不变