考题
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。
A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
考题
在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()
考题
本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。()
考题
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。
A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
考题
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
考题
P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。
考题
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
考题
半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
考题
本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
考题
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）
考题
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
考题
下列物质中载流子最多的是（）。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体
考题
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
考题
填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。
考题
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
判断题本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。A
对B
错
考题
单选题本征半导体载流子（）A
自由电子和空穴的浓度无法确定B
自由电子的浓度小于空穴的浓度C
自由电子的浓度大于空穴的浓度D
自由电子和空穴的浓度相等
考题
单选题下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。A
温度提高导电能力提高B
有两种载流子C
电阻率很小，接近金属导体D
参杂质后导电能力提高