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硅MOSFET和硅JFET结构相同。()


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考题 关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是()A、在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。B、非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。C、多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。D、与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

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