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6、工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个 。

A．恒压源

B．电压控制电流源

C．恒流源

D．电流控制电压源

参考答案和解析
电压控制电流源
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考题 半导体开关三极管正常工作的条件是工作在( )。A.截止区、饱和区B.截止区、放大区C.放大区、饱和区D.耗散区、放大区
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考题 “流”(stream)可以看作是一个流动的______缓冲区。
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考题 在数字电路中，晶体管作为开关应用，因此，它始终（）。A、工作在放大区B、工作在截止区C、工作在饱和区D、在截止和饱和状态间转换。
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考题 在脉冲电路中，三极管主要工作在（）三极管的这种工作状态通常称为开关工作状态。A、放大区B、截止区和饱和区C、饱和区D、截止区
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考题 UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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考题 当场效应管的VGSGS（th）时，则该管工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、击穿区D、截止区
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考题 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
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考题 MOS管作开关应用时，其工作状态应在截止区和（）之间转换。
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考题 晶体三极管作开关用时，是工作在（）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、饱和区和截止区。
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考题 单选题在脉冲电路中，三极管主要工作在（）三极管的这种工作状态通常称为开关工作状态。A 放大区B 截止区和饱和区C 饱和区D 截止区
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考题 多选题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
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考题 判断题对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。A 对B 错
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考题 判断题从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。A 对B 错
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考题 问答题用MOS管作有源电阻，器件工作在什么状态？
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考题 单选题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）A 增大B 减小C 不变D 先减小后增大
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