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掺入杂质原子除形成非整比化合物外,还常常形成结构缺陷。


参考答案

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考题 碳钢中除含有铁、碳元素外,还含有少量的()等杂质。 A、硅B、锰C、钼D、铌

考题 铸件在凝固、收缩而伴生的现象除形成缩孔、缩松外,主要还有______、______、______和______等缺陷。

考题 溶质原子,不管它们是杂质还是有意添加的,都会使晶体基体发生较大范围的结构扰乱,形成固溶体。() 此题为判断题(对,错)。

考题 油箱除储油外,还起()和分离油中杂质和空气等作用.A、回油B、溢流C、散热D、过滤

考题 对于单质硫的分子结构叙述正确的是()A、在S8分子中,S原子是sp2杂化,每个S原子形成两个共价单键B、在S8分子中,S原子是sp3杂化,每个S原子形成两个共价单键C、在S8分子中,S原子之间除形成σ键外,还有π键D、在高温下,S8将转变为S2

考题 在杂质半导体中,()是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体

考题 晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。

考题 杂环化合物中,构成环的原子除碳原子外,还至少含有()个杂原子。A、1B、2C、3D、4

考题 固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变,但点阵畸变,性能变化。固溶体有有限和无限之分,其中()。A、结构相同是无限固溶的充要条件B、结构相同是无限固溶的必要条件,不是充分条件C、结构相同是有限固溶的必要条件D、结构相同不是形成固溶体的条件

考题 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为()A、肖脱基缺陷B、Frankel缺陷C、堆垛层错

考题 玉米、高粱等的茎增粗的原因除初生组织细胞长大外,还因为()。A、形成层的活动B、木栓形成层的活动C、初生加厚分生组织的活动D、束间形成层的活动

考题 瑞利散射损耗属于()。A、本征损耗B、杂质吸收损耗C、结构不完善引起的损耗D、原子缺陷吸收损耗

考题 在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成()。A、P型半导体B、N型半导体C、异性半导体D、C型半导体

考题 在本征半导体内掺入微量的3价元素,可形成()型杂质半导体。其中的多子是()

考题 在纯净的半导体中掺入不同的杂质,可形成两种不同的杂质半导体,即N型半导体和()半导体。

考题 细菌细胞除基本结构外,还可形成()、()、()和()等特殊结构

考题 化学键是将相邻原子结合在一起形成分子的相互()。共价键是原子之间通过()而形成的分子结构,离子键是原子之间通过()而形成的分子结构。()叫氢键。

考题 单选题固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变,但点阵畸变,性能变化。固溶体有有限和无限之分,其中()。A 结构相同是无限固溶的充要条件B 结构相同是无限固溶的必要条件,不是充分条件C 结构相同是有限固溶的必要条件D 结构相同不是形成固溶体的条件

考题 单选题原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为()A 肖脱基缺陷B Frankel缺陷C 堆垛层错

考题 填空题化学键是将相邻原子结合在一起形成分子的相互()。共价键是原子之间通过()而形成的分子结构,离子键是原子之间通过()而形成的分子结构。()叫氢键。

考题 单选题在晶体缺陷理论中进入晶体正常结点之间的间隙位置的原子称为()A 取代原子B 空位原子C 杂质原子D 填隙原子

考题 单选题按照晶体结构缺陷形成的原因,可将晶体结构缺陷的类型分为()。A 热缺陷B 杂质缺陷C 非化学计量缺陷D A+B+C

考题 填空题细菌细胞除基本结构外,还可形成()、()、()和()等特殊结构

考题 单选题在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质,这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为()A 取代原子B 空位原子C 杂质原子D 填隙原子

考题 填空题化学键是将相邻原子结合在一起形成分子的相互(),共价键是原子之间通过()而形成稳定的分子结构,离子键是原子之间通过()而形成稳定的分子结构,分子之间()叫氢键。

考题 单选题非化学计量空位形成的类型包括()A 非金属离子空位型B 杂质离子空位型C 原子空位型D 金属离子空位型

考题 填空题杂质能影响反应物的缺陷结构,可以改变()。并且有可能与反应物形成固溶体降低(),使反应速率加快。