考题
半导体三极管与场效应管的一重要区别是:三极管为()控制元件,场效应管为()控制元件。
考题
半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件
考题
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。()
此题为判断题(对，错)。
考题
场效应管全称是什么？表示符号是什么？按其结构分为哪几种？场效应管的性能及应用怎样？
考题
BIOS全称是（）A、不间断供电系统B、基本输入输出系统C、金属互补氧化物半导体存储器D、加电自检
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
考题
由（）组成的集成电路简称CMOS电路。A、金属B、氧化物C、半导体场效应管D、磁性物
考题
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
考题
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
考题
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
考题
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
考题
构成场效应管的材料不包含（）.A、金属B、氧化物C、超导体D、半导体
考题
MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；A、具有非常高的输入电阻；B、具有非常小的输入电阻；C、具有单向导通特性；
考题
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是（）器件，三极管是（）器件。
考题
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体器件。
考题
MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
考题
电力场效应管（MOSFET）是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于（）。
考题
单选题MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；A
具有非常高的输入电阻；B
具有非常小的输入电阻；C
具有单向导通特性；
考题
问答题功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？
考题
问答题半导体三极管与场效应管的一重要区别是什么？
考题
填空题半导体三级管与场效应管的一个重要区别是，三级管为（）控制元件，场效应管为（）控制元件。
考题
单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A
“IGBT”B
“BJT”C
“GTO”D
“MOSFET”