考题
有关电力MOSFET的说法错误的是()。
A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题
考题
电力MOSFET的通态电阻Ron具有______的温度系数,并联使用时具有______的能力,因而___使用比较容易。
考题
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
考题
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
考题
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
考题
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
考题
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
考题
在检测MOS场效应管时，应注意防止人体感应电压击穿元件。
考题
如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？
考题
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）A、A恒流区B、B可变电阻区C、C夹断区D、D击穿区
考题
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
考题
UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有：（）。A、JFETB、增强型MOSFETC、耗尽型MOSFET
考题
MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
考题
电力晶体管在使用时，要防止（）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态
考题
电力场效应管（MOSFET）是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于（）。
考题
对于场效应电子器件（场效应管、（）），为防止静电击穿或静电寄存，在没有采取防静电措施时不要触摸它。A、MOS集成电路B、HTL集成电路C、TTL集成电路D、分立电路
考题
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
考题
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A
有二次击穿B
无二次击穿C
防止二次击穿D
无静电击穿
考题
单选题电力晶体管在使用时，要防止（）。A
二次击穿B
静电击穿C
时间久而失效D
工作在开关状态
考题
问答题功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？
考题
单选题场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）A
A恒流区B
B可变电阻区C
C夹断区D
D击穿区
考题
问答题如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？