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试确定图题3-4所示的MOS管中，哪些是导通的?哪些是截止的?

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考题 二极管的单向导电性是指:() A、外加正向电压导通，加反向电压截止。B、外加正向电压截止，加反向电压导通。C、外加正向电压导通，加反向电压导通。
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考题 单相整流电路中，二极管承受的反向电压最大值出现在二极管()A、截止时B、导通时C、由导通转截止时D、由截止转导通时
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考题 单相半波整流电路中,在交流电的一个周期内,二极管正、负半周分别处于()状态。 A、正半周导通，负半周截止B、正半周截止，负半周导通C、正半周导通，负半周导通D、正半周截止，负半周截止
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考题 试确定图题3-26所示74LS门电路的输出负载是灌电流还是拉电流，并确定最大电流值。图题3-26
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考题 试分析图题3-5所示MOS电路的逻辑功能，写出Y端的逻辑函数式，并画出逻辑图。
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考题 试判断图题 3- 16中哪个三极管是导通或是截止的。图题3-16
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考题 图示二极管D1、D2所处的状态是( )。 A.D.1导通，D.2截止 B.D.1截止，D.2导通 C.D.1、D.2都导通 D.D.1、D.2都截止
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考题 La3A3O52 全波整流电路如图A-l所示，当输入电压ul为正半周时，( )。 (A)v1导通，v2截止；(B)V2导通，vl截止；(C)vl、v2均导通：(D)vl、V2均截止。
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考题 二极管电路如图7-48所示，三个二极管的正向压降均为0.7V,它们的工作状态是（）。 A.三管均导通 B.VD1截止，VD2、VD3导通 C.VD1导通，VD2、VD3截止 D.三管均截止
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考题 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时，它呈___状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈___状态，即___具有单向导电性。A、PN结；导通，截止；PN结B、晶体管；截止，导通；PN结C、晶体管；导通，截止；晶体管D、PN结；截止，导通；晶体管E、晶体管；截止，导通；晶体管
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考题 PN结的单向导电性是指（）A、加正电压截止，加反电压导通B、加正电压导通，加反电压截止C、加正电压截止，加反电压截止D、加正电压导通，加反电压导通
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考题 晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）A、晶体管的相对导通时间B、晶体管的导通时间C、晶体管的截止时间D、晶体管的相对截止时间
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考题 半波整流时，二极管实际承受的反向电压的最大值，出现在二极管（）。。A、截止时B、导通时C、由截止转导通时D、由导通转截止时
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考题 二极管串联限幅器在二极管（）时限幅。A、截止B、导通C、击穿D、截止或导通
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考题 半波整流时，二极管实际承受的反向电C压的最大值，出现在二极管（）A、截止时B、导通时C、由截止转导通时D、由导通转截止时
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考题 在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
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考题 可控硅必须具备哪些条件才能导通和截止？
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考题 晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
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考题 单相整流电路中，二极管承受的电压的最大值出现在二极管（）。A、截止时B、导通时C、由导通转截止时D、无法确定
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考题 串联开关电源中，（）。A、开关管截止，负载上续流二极管提供的电流方向和开关管导通时一样。B、开关管和续流二极管同时接通。C、开关管间断导通，续流二极管持续导通。
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考题 二极管的工作状态是（）。A、导通B、断路C、短路D、截止
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考题 对于CMOS门电路，无论输入电平V1是高电平还是低电平，两个MOS管工作（）A、都是导通状态B、都是截止状态C、一个在导通状态而另一个在截止状态D、无法判断
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考题 在晶体管调压器中，当发电机电压升高时，晶体管处于：（）.A、导通时间长，截止时间短B、导通时间短，截止时间长C、导通时间和截止时间都短D、导通时间和截止时间都长
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考题 晶体管调压器中，晶体管的占空比：（）A、与晶体管的相对导通时间成正比；B、与晶体管的导通时间成正比；C、与晶体管的截止时间成正比；D、与晶体管的相对截止时间成正比。
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考题 在单相整流电路中，二极管承受的反向电压的最大值出现在二极管（）。A、由导通转截止时B、由截止转导通时C、导通时D、截止时
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考题 问答题MOS管是图元之一，它的可变参数有哪些？
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考题 单选题开关电源脉宽调制的原理是指（）；A 是指在主电路工作周期不变的情况下，通过改变功率管的导通截止时间，既改变脉冲频率，来控制输出电压稳定在预先确定的电压值上。B 是指在主电路工作周期不变的情况下，通过改变功率管的导通截止时间，既改变脉冲宽度，来控制输出电压稳定在预先确定的电压值上。C 是指通过改变主电路工作周期，以此来改变功率管的导通截止时间，既改变脉冲宽度，来控制输出电压稳定在预先确定的电压值上。
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