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3DU型硅光电三极管的工作原理：工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即集电极反向偏置、发射极正向偏置。光激发产生的电子-空穴对在反向偏置的PN结内建电场的作用下，电子流向集电区被集电极收集，空穴流向基区与正向偏置的发射结发射的电子流复合，形成基极电流Ip，基极电流将被集电结放大β倍。
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考题
晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。
A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结正向偏置C、发射结反向偏置，集电结反向偏置D、发射结反向偏置，集电结正向偏置
考题
晶体三极管正常工作的基本条件是()。
A、发射结加反向偏置、集电结正反向偏置B、发射结加反向偏置、集电结加反向偏置C、发射结加正向偏置、集电结加正向偏置D、发射结加正向偏置、集电结加反向偏置
考题
为了保证三极管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、()。
A.集电结正向偏置B.集电极反向偏置C.集基极正向偏置D.集电结反向偏置
考题
体三极管用来放大时，应使 （）A、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置。B、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。C、发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置。D、发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置。
考题
为了保证三极管的电流放大．一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。A、集电结正向偏置B、集电极反向偏置C、集基极正向偏置D、集电结反向偏置
考题
在晶体三极管工作在放大区时，其特点是（）。A、发射结处于正向偏置而集电节处于反向偏置B、发射结处于反向偏置而集电节处于正向偏置C、发射结及集电结均处于正向偏置D、发射结及集电结均处于反向偏置
考题
为保证NPN型三极管工作在放大状态，必须使（）；A、必须使三极的集电结处于正向偏置而发射结处于反向偏置；B、必须使三极的发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置；C、必须使三极的发射结处于反向偏置而集电结处于正向偏置；
考题
要使晶体三极管对电流起放大作用，则必须使（）。A、发射结正向偏置，而集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结也正向偏置C、发射结反向偏置，而集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结也反向偏置
考题
晶体三极管在截步状态下，有（）关系存在。A、发射结是反向偏置，集电结是正向偏置B、发电极是反向偏置，集电极是反向偏置C、发射结是正向偏置，集电结是反向偏置D、发射结是正向偏置，集电结是正向偏置
考题
单选题晶体三极管正常工作的基本条件是（）A
发射结加反向偏置、集电结正反向偏置B
发射结加反向偏置、集电结加反向偏置C
发射结加正向偏置、集电结加正向偏置D
发射结加正向偏置、集电结加反向偏置
考题
单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）A
发射结正向偏置，集电结反向偏置B
发射结反向偏置，集电结正向偏置C
发射结正向偏置，集电结正向偏置D
发射结反向偏置，集电结反向偏置
考题
单选题晶体管工作在饱和区的条件是（）。A
发射结正向偏置，集电结反向偏置B
发射结反向偏置，集电结正向偏置C
发射结正向偏置，集电结正向偏置D
发射结反向偏置，集电结反向偏置
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