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结合能带结构简述为何Si和Ge不能成为合适的光电半导体材料，而混合半导体晶体能够作为光电半导体材料。（提醒：能隙概念、光子频率与能量关系）

参考答案和解析
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考题 光电转换材料大多是() A、导体B、绝缘体C、半导体D、玻璃
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考题 简述半导体的光电效应。
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考题 光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应
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考题 半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
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考题 半导体材料发生光电效应，对入射光的频率有什么要求？
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考题 氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
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考题 内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）
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考题 产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。
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考题 目前常用的半导体光源有（）。A、半导体发光二极管B、半导体发光晶体管C、半导体激光器D、半导体光电二极管
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考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的（）。A、压阻效应；B、应变效应；C、霍耳效应；D、光电效应
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考题 半导体内光电效应与光强和光频率的关系是什么？
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考题 要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
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考题 硅和锗半导体材料都是晶体结构。
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考题 半导体的导电性介于导体与绝缘体之问。常用的半导体材料有：硅（Si）和锗（Ge）。原子结构的最外层轨道上有（）个价电子。A、2B、3C、4D、5
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考题 问答题简述半导体材料的概念。
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考题 多选题目前常用的半导体光源有（）。A半导体发光二极管B半导体发光晶体管C半导体激光器D半导体光电二极管
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考题 填空题半导体晶体的晶胞具有（）对称性， Si、Ge 、GaAs 晶体为（）结构。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。
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考题 单选题（）是半导体光电子材料中发生的一种外光电效应。A 光电导B 光生伏特效应C 光电子发射
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考题 填空题半导体对光的吸收以及与之有关的光电离过程只能直接改变电子和空穴的数量与能量，为了出现光电势，还必须具备一定的附加条件，以使光生电子和空穴能够在空间分开。在不均匀半导体中，必须（），在均匀半导体中，必须具备另外一些附加条件，比如（）或（）。
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考题 判断题氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。A 对B 错
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考题 问答题半导体内光电效应与光强和光频率的关系是什么？
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考题 单选题光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为（）效应。A 光电导效应；B 光生伏特效应；C 内光电效应；D 光电发射。
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考题 问答题简述光子晶体和半导体间的异同。
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考题 单选题当半导体材料受到光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，因而导致材料电导率的变化，这种现象称为（）A 光伏效应；B 光电导效应；C 光电发射效应；D 光热效应。
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考题 单选题当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫（）A 光电效应B 光电导现象C 热电效应D 光生伏特现象
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考题 填空题自由载流子型光电导指是（）的半导体材料
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考题 判断题内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。A 对B 错
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