考题
BJT处于截止状态的条件是()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A、前者反偏、后者反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者正偏D、前者反偏，后者正偏
考题
BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态为()A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏
考题
三极管处于截止状态的工作条件是发射结零偏或反偏,集电结反偏。()
此题为判断题(对，错)。
考题
三极管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况如何？( )A.发射结反偏，集电结正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结、集电结均正偏
D.发射结正偏，集电结反偏
考题
如果晶体三极管的（），则该管工作于截止区。A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A.发射结正偏、集电结反偏
B.发射结反偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结反偏
D.发射结正偏、集电结正偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结正偏
考题
三极管处于截止状态的工作条件是发射结零偏或反偏，集电结反偏。
考题
三极管放大区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
三极管工作在截止模式时要求（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
晶体三极管要处于截止状态必须满足（）。A、发射结集电结构正偏B、发射结集电结均反偏C、发射结正偏集电结反偏D、发射结反偏集电结正偏
考题
三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
晶体三极管处于放大状态的条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结反偏
考题
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
为了使晶体管工作于饱合区，必须保证（）。A、发射结正偏集电结正偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结零偏
考题
晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
考题
晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
考题
对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
考题
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
考题
晶体管工作在饱和区时，发射结（），集电结（）；工作在放大区时，集电结（），发射结（）。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
考题
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
考题
三极管放大区的条件为（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏或零偏，集电结反偏C、射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A
发射结正偏，集电结正偏B
发射结反偏，集电结反偏C
发射结正偏，集电结反偏D
发射结反偏，集电结正偏
考题
单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A
发射结反偏，集电结正偏B
发射结、集电结均反偏C
发射结、集电结均正偏D
发射结正偏，集电结反偏
考题
单选题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。A
发射结正偏，集电结正偏B
发射结反偏，集电结反偏C
发射结正偏，集电结反偏D
发射结反偏，集电结正偏