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以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。

A．采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb

B．降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

C．减小发射结和集电结面积以减小电容

D．适当降低集电区电阻率和厚度

参考答案和解析
降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
更多 “以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。A．采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带WbB．降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子C．减小发射结和集电结面积以减小电容D．适当降低集电区电阻率和厚度” 相关考题
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