考题
PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。
A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
考题
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。
A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
考题
场效应管靠()导电。
A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴
考题
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
考题
漂移电流是少数载流子在PN结内电场作用下定向移动形成的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。
考题
当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
考题
金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子
考题
如果电流是由几种载流子的定向运动形成的，则每一种载流子的定向运动对电流都有贡献。
考题
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
考题
光生电流包括（）。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时，PN结输出电流
考题
漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
考题
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
考题
二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成
考题
二极管加正向电压时，其正向是由（）。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成
考题
场效应管漏极电流由（）的漂移运动形成。A、少子B、电子C、多子D、两种载流子
考题
反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
考题
PN结加正向电压时，其正向电流是由（）的。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子扩散形成D、少数载流子漂移形成
考题
PN结反向漏电流是由（）产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子
考题
电力场效应管MOSEFT是（）器件。A、双极型B、多数载流子C、少数载流子D、无载流子
考题
三极管工作时，发射极发射载流子，（）输送和控制载流子，（）是收集载流子。
考题
在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的
考题
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
考题
三极管的集电区的作用是（）。A、发射载流子B、输送和控制载流子C、收集载流子D、控制载流子
考题
填空题漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
考题
填空题反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
考题
单选题场效应管参与导电的载流子是（）。A
电子B
空穴C
多数载流子D
少数载流子