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N型半导体中的多数载流子浓度受温度的影响很大。

参考答案和解析
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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
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考题 N型半导体多数载流子浓度取决于()。
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考题 N型半导体的多数载流子为()。
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考题 在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
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考题 在N型半导体中（）是多数载流子，（）是少数载流子。
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考题 N型半导体中多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
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考题 N型半导体中自由电子是多数载流子。
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考题 N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
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考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
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考题 N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
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考题 N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
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考题 在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
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考题 N型半导体的多数载流子是（），少数载流子是（）。
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考题 P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。
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考题 对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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考题 N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。
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考题 N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
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考题 N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
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考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。
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考题 填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
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考题 填空题N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
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