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由于DRAM电容所存储的电荷会泄露，因此需要每隔一段时间对其执行_____操作，以维持电容上所存储的电荷。
参考答案和解析
C
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考题
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
考题
下面关于DRAM存储器描述错误的是（）A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点C、DRAM存储器属于非易失的存储器D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息
考题
单选题下面关于DRAM存储器描述错误的是（）A
DRAM存储器需要对存储内容定时刷新B
DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点C
DRAM存储器属于非易失的存储器D
DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息
考题
单选题关于电容器，下列说法正确的是（）A
电容器两极板上所带的电荷量相等，种类相同。B
电容器两极板上所带的电荷量相等，种类相反。C
电容器既是储能元件又是耗能元件。D
电容器的电容量是无限大的。
考题
问答题请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。
考题
判断题若干只电容器串联，电容量越小的电容器所带的电荷量也越少。A
对B
错
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