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MOS电路与TTL电路相比,其主要优点是()。

  • A、价格便宜
  • B、集成度高
  • C、速度快
  • D、功耗小

参考答案

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考题 动态MOSRAM的优点是()A、单元电路结构简单B、单片集成度高C、功耗比静态MOSRAM低D、不需要刷新和再生操作

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考题 和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大

考题 与动态MOS存储器相比,双极性半导体存储器的特点是()A、速度快,功耗小B、集成度高C、速度慢D、容量大

考题 集成电路74LS系列表示()。A、高速肖特基TTL电路B、低功耗肖特基TTL电路C、低速肖特基TTL电路D、高低功耗肖特基TTL电路

考题 HTL与非门与TTL与非门相比()A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL作速度快C、HTL比TTL抗干扰能力强

考题 下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

考题 与动态MOS存储器相比,不是双极型半导体存储器的特点是()。A、速度快B、集成度高C、功耗大

考题 SRAM比DRAM电路简单,集成度高,功耗低。

考题 CMOS电路与TTL电路相比,具备以下特点()。A、输入电阻大B、功耗低C、电源电压范围宽D、以上都具备

考题 COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点()。A、静态功耗低,电源电压范围宽B、输入阻抗高,扇出能力强C、抗干扰能力强,逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路,功耗随频率的升高显著增大

考题 与TTL相比,CMOS集成电路主要优点有:()、()、()、()、()等。

考题 CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽

考题 与TTL电路相比,CMOS电路的特点是()A、噪声容限低B、电源适用范围宽C、功耗极低D、扇出能力强

考题 下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

考题 CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。

考题 与TTL集成电路相比,CMOS集成电路()。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确

考题 与TTL电路相比,ECL门电路的特点是()。A、高速B、功耗大C、电压摆幅较小D、以上都正确

考题 单选题集成电路74LS系列表示()。A 高速肖特基TTL电路B 低功耗肖特基TTL电路C 低速肖特基TTL电路D 高低功耗肖特基TTL电路

考题 多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽

考题 判断题集成电路的优点:体积小、重量轻;功耗小、成本低;速度快、可靠性高。A 对B 错

考题 单选题与动态MOS存储器相比,不是双极型半导体存储器的特点是()。A 速度快B 集成度高C 功耗大

考题 判断题集成电路的优点:体积大、重量重;功耗小、成本高;速度快、可靠性低。A 对B 错

考题 单选题与动态MOS存储器相比,双极性半导体存储器的特点是()A 速度快,功耗小B 集成度高C 速度慢D 容量大