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自偏置电路只适用于结型场效应管。

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考题 ()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型
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考题 零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。()
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。 A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对
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考题 下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
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考题 CMOS电路是指（）。A、场效应管晶体管组成的电路B、P和N型场效应管互补组成的电路C、P型场效应管组成的电路D、N型场效应管组成的电路
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考题 结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
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考题 结型场效应管用作放大时，输入端G、S间应保持（）。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可
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考题 自偏置电流源为什么需要采用启动电路？对启动电路有什么要求？
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考题 晶体管放大电路的基本原则是：外加电源使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
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考题 高压复合结型场效应管
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考题 对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 （）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
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考题 NPN型三极管基本放大电路在线性放大区工作时，应当发射结正向偏置，集电结反向偏置。
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考题 场效应管放大器常用偏置电路一般有（）和（）两种类型。
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考题 场效应管放大电路的输入电阻，主要由（）决定A、管子类型B、gmC、偏置电路D、VGS
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考题 双极型三极管是（）控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加（）偏置，集电结需要加（）偏置。场效应管是（）控制器件。
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考题 结型场效应管放大电路的偏置方式是（）A、自给偏压电路B、外加偏压电路C、无须偏置电路D、栅极分压与源极自偏结合
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考题 对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
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考题 双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
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考题 BJT用来放大时，应使发射结处于（）偏置，集电结型处于（）偏置；而工作在饱和区时，发射结处于（）偏置，集电结型处于（）偏置。
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考题 为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（）偏置，集电路（）偏置。
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考题 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
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考题 放大电路正常工作时要满足（）。A、发射结集电结都正向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结集电结都反向偏置D、发射结正向偏置，集电结反向偏置
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考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结反向偏置，集电结正向偏置C 发射结正向偏置，集电结正向偏置D 发射结反向偏置，集电结反向偏置
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考题 填空题在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB结（），CB结反向偏置。
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考题 单选题（）电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功率，且当负载电阻为最佳负载时具有最大的输出功率。A 自偏置B 恒流C 零伏偏置D 反向偏置
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