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10、根据能带理论，绝缘体有满带和空带，且禁带宽度大；半导体有满带和空带，但禁带宽度较窄

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考题 关于能带描述正确的是() A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加
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考题 非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
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考题 空演示文稿的特点是( ) A、不带任何模板和布局格式B、带模板设计，但不带布局格式C、不带任何模板，但带布局格式D、带模板设计，且带布局格式
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考题 采空区塌陷后，形成采空塌陷区。煤层采空塌陷区可分为()。A.垮落带.断裂带.弯曲带 B.垮落带.沉陷带.断裂带 C.垮落带.沉陷带.弯曲带 D.陷落带.断裂带.弯曲带
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考题 半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 煤层采空后，上覆岩层塌陷形成（）带、（）带和（）带。
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考题 下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
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考题 带式输送机输送带的宽度决定于带式输送机的输送量和输送带的速度。
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考题 什么是允带？什么是禁带？
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考题 空演示文稿的特点是（）。A、不带任何模版和布局格式B、带模版设计，但不带布局格式C、不带任何模版，但带布局格式D、带模版设计，且带布局格式
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考题 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
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考题 禁带物品有哪些？
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考题 输送带的张力由带芯胶布衬垫层承受，带的强度决定于带的宽度和带芯衬垫层数。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 布里渊区的界面附近，费米面和能级密度函数有何变化规律？哪些条件下会发生禁带重叠或禁带消失现象？试分析禁带的产生原因。
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考题 问答题禁带物品有哪些？
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考题 问答题什么叫能带、价带、导带和禁带？
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考题 问答题什么是满带、导带和禁带？
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考题 单选题空演示文稿的特点是（）A 不带任何模版和布局格式B 带模版设计，但不带布局格式C 不带任何模版，但带布局格式D 带模版设计，且带布局格式
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考题 填空题电子占据了一个能带中的所有的状态，称该能带为（）；没有任何电子占据的能带，称为（）；导带以下的第一满带，或者最上面的一个满带称为（）；最下面的一个空带称为（）；两个能带之间，不允许存在的能级宽度，称为（）。
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 填空题煤层采空后，上覆岩层塌陷形成（）带、（）带和（）带。
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考题 单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A 禁带较窄B 禁带较宽C 禁带是间接跃迁型D 禁带是直接跃迁型
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题晶体中大量原子集合在一起，原来相同的能级分裂为大量的与原来能级很接近的新能级，这些新能级所分布的能量范围称为（）A 能带B 允带C 满带D 禁带
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