考题
P型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的。A.硅元B.锗元素C.三价硼元素D.五价锑元素
考题
对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是()、()和()等元素。元素加入后,半导体变成n型半导体了。
考题
在半导体硅(锗)中掺入磷、锑等五价元素,得到P型半导体。()
此题为判断题(对，错)。
考题
N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。
A.1B.3C.5D.7
考题
半导体锗和硅都是四价元素，在原子结构的最外层都是（）个电子。A.2
B.3
C.4
D.5
考题
对于锗和硅半导体来说，最常用的一类杂质是（）、（）和（）等元素。这些元素加入后，半导体变成N型半导体了。
考题
对于锗和硅半导体来说，最常用的另一类杂质是（）、（）和（）等元素。这些元素加入后，半导体变成P型半导体了。
考题
纯净的硅或锗中掺入少量三价元素电阻率会急剧上升。
考题
关于9013，下面（）是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
考题
在碳族元素中，从典型的非金属过渡到典型的金属，而锗的性质接近于硅远离于锡的原因是（）A、原子量的接近程度B、次外层3d10电子的效应C、共价半径的大小D、无法确定
考题
在本征硅（或锗）中掺入微量的（）价元素，便可形成N型半导体。A、五B、四C、三D、二
考题
在半导体硅（锗）中掺入磷、锑等五价元素，得到P型半导体。
考题
在硅或锗本征半导体中掺如微量的（）就可得到N型半导体。A、二价元素B、三价元素C、四价元素D、五价元素
考题
太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素（）；（）和V族磷、砷元素组成的半导体，如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。
考题
在P型半导体中，（）是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗
考题
N型半导体是在本征硅或锗中掺入（）价元素而得到的。A、1B、3C、5D、7
考题
要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（）A、三价元素B、四价元素C、五价元素D、六价元素
考题
本征硅中掺入5价元素的原子，则多数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）；相反少数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）。
考题
本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。
考题
在硅或锗本征半导体中掺入微量（）就可得到P型半导体。A、二价元素B、三价元素C、四价元素D、五价元素
考题
目前，大多数半导体的基础元素是（）。A、碳B、硅C、锗D、铅
考题
P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的。A、硅元B、锗元素C、三价硼元素D、五价锑元素
考题
V族杂质在硅锗中电离，故放出电子产生导电导子形成正电中心，称为（），释放电子的过程称为（）。依靠（）的半导体称为n型半导体。
考题
单选题在硅或锗本征半导体中掺入微量（）就可得到P型半导体。A
二价元素B
三价元素C
四价元素D
五价元素
考题
判断题硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A
对B
错
考题
单选题N型半导体是在本征硅或锗中掺入（）价元素而得到的。A
1B
3C
5D
7
考题
填空题硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（）结构。
考题
判断题纯净的硅或锗中掺入少量三价元素电阻率会急剧上升。A
对B
错