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集成与非门的扇出系数反映了该与非门带同类负载的能力
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考题
下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
考题
某集成电路封装内集成有4个与非门,它们输出全为高电平时,测得5V电源端的电流为8mA,输出全为0时,测得5v电源端的电流为16mA,该TTL与非门的功耗为()mW。A、30B、20C、15D、10
考题
单选题在TTL集成与非门中,多发射极晶体管T1的主要作用是()。A
倒相B
逻辑乘C
提高带负载能力D
提高抗干扰能力
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