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43、常用数字集成电路的衬底材料的元素的全称(英文)是 silicon


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C
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考题 英文缩写IGV的英文全称是(),CDOT是()。

考题 填空题晶圆的英文是(),其常用的材料是()和()。

考题 填空题在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为();反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为()。

考题 填空题设计规则检查的英文全称是(),缩写是()。

考题 填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。

考题 名词解释题ATC(中文全称和英文全称)