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MOS管的功耗要小于三极管的功耗

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更多 “MOS管的功耗要小于三极管的功耗” 相关考题
考题 关于OLT的功耗,以下说法正确的有()。 A.C200功耗满配置300WB.C200功耗满配置350WC.C220功耗满配置400WD.C220功耗满配置450W
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考题 嵌入式系统的功耗主要由以下()部分组成。 A、嵌入式处理器的功耗B、存储器的功耗C、外部设备的功耗D、设备老化引起的额外功耗
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考题 对功率放大电路的主要技术性能有哪些要求() A、输出功率要足够大B、转换效率要高C、三极管的功耗要小D、非线性失真要小E、三极管的工作要安全、可靠。
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考题 电晶体管集电极最大允许耗散功耗PCM取决于三极管允许的温升。集电极消耗功率大于PCM会烧坏三极管。( ) 此题为判断题(对，错)。
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考题 和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
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考题 差动放大器抑制零漂的效果取决于（）A.两个三极管的放大倍数 B.两个三极管的对称程度 C.两个三极管的穿透电流大小 D.两个三极管功耗大小
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考题 当不能确定灯具的电器附件功耗时，高强度气体放电灯灯具的电器附件功耗可按光源功率的（）计算，发光二极管灯具的电器附件功耗可按光源功率的（）计算。
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考题 在非通信状态下，专变采集终端交流采样端口功耗为（）。A、电压功耗应不大于0.5VA电流功耗不大于0.25VAB、电压功耗应不大于0.25VA电流功耗不大于0.25VAC、电压功耗应不大于0.5VA电流功耗不大于0.5VAD、电压功耗应不大于0.25VA电流功耗不大于0.5VA
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考题 功耗指标：B328基站满配时，S333的功耗是（）W，S的功耗是（）W。
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考题 用JT一1型晶体管特性图示仪测试小功率晶体三极管时，功耗电阻应选得（）。A、小一些B、大一些C、相等D、O位
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考题 晶体管图示仪测量三极管时（）可以改变特性曲线族之间的间距。A、阶梯选择B、功耗电阻C、集电极―基极电流/电位D、峰值范围
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考题 用高压空气来使加压液氧汽化，内压缩流程的功耗要稍低于用氧压机的流程功耗。
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考题 与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。A、速度快B、集成度高C、功耗大
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考题 LKJ的功耗小于200W。
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考题 MOS电路与TTL电路相比，其主要优点是（）。A、价格便宜B、集成度高C、速度快D、功耗小
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考题 1U OLP设备的功耗为小于5W，4U OLP设备的功耗应为小于W？
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考题 RO4的功耗小于300W。
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考题 关于OLT的功耗，以下说法正确的有（）。A、C200功耗满配置300WB、C200功耗满配置350WC、C220功耗满配置400WD、C220功耗满配置450W
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考题 硬盘的功耗包括（）。A、启动功耗B、读写/空闲功耗C、寻道功耗D、休眠功耗
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考题 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）。A、集电极最大允许功耗ＰＣＭB、集电极最大允许电流ＩＣＭC、集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ
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考题 采用双电源互补对称（）电路，如果要求最大输出功率为5W，则每只三极管的最大允许功耗PCM至少应大于（）W。
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考题 用晶体管图示仪测量三极管时，调节（）可以改变特性曲线族之间的间距。A、阶梯选择B、功耗电阻C、集电极－基极电流/电位D、峰值范围
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考题 JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中，功耗限制电阻的作用是（）A、限制集电极功耗B、保护晶体管C、把集电极电压变化转换为电流变化D、限制集电极功耗，保护被测晶体管
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考题 CMOS反相器工作时的全部功耗应等于（）A、动态功耗B、静态功耗C、动态功耗与噪声功耗之和D、动态功耗与静态功耗之和
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考题 通常电能表电压线路的功耗（）电流线路的功耗。A、大于B、等于C、小于D、不一定
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考题 填空题一般认为MOS集成电路功耗低、（），宜用作数字集成电路。
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考题 填空题当不能确定灯具的电器附件功耗时，高强度气体放电灯灯具的电器附件功耗可按光源功率的（）计算，发光二极管灯具的电器附件功耗可按光源功率的（）计算。
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考题 多选题硬盘的功耗包括（）。A启动功耗B读写/空闲功耗C寻道功耗D休眠功耗
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