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3、下列关于离子类载流子导电的描述，错误的是（）。

A．本征导电在低温条件下形成

B．离子类载流子导电通常是在多种载流子下的导电

C．温度越高，缺陷越容易形成

D．离子类载流子导电通常考虑的是离子扩散的情况

参考答案和解析
Cd 2 +
更多 “3、下列关于离子类载流子导电的描述，错误的是（）。A．本征导电在低温条件下形成B．离子类载流子导电通常是在多种载流子下的导电C．温度越高，缺陷越容易形成D．离子类载流子导电通常考虑的是离子扩散的情况” 相关考题
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考题 晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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考题 当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
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考题 对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
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考题 下列关于子类型的描述中，错误的是( )。A．子类型关系是可逆的B．公有派生类的对象可以初始化基类的引用C．只有公有的继承下，派生类是基类的子类型D．子类型关系是可传递的
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考题 有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电，一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
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考题 当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
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考题 下列关于子类父类叙述中，错误的是（）。A、父类不能替代子类B、子类能够替代父类C、子类继承父类D、父类包含子类
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考题 当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子，又有少数载流子D、多数载流子
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考题 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
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考题 利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量（）。A、磁场B、电功率C、载流子浓度D、载流子类型
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考题 N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。
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考题 单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
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考题 P型半导体材料导电的载流子是空穴。
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考题 对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
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考题 双极型三极管有两种载流子导电，即（）和（）导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即（）导电。
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考题 当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
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考题 部类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。A、电子B、质子C、空穴
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考题 在电解质溶液中，参与导电的载流子是溶液分子中的质子。
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考题 晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
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考题 P型半导体导电的载流子为（）。
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考题 单选题下列关于子类父类叙述中，错误的是（）。A 父类不能替代子类B 子类能够替代父类C 子类继承父类D 父类包含子类
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考题 填空题导电材料中载流子是（）、（）和（）。
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考题 单选题当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A 不一定B 少数载流子C 既有多数载流子，又有少数载流子D 多数载流子
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考题 问答题根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS管有几种类型？
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考题 单选题场效应管参与导电的载流子是（）。A 电子B 空穴C 多数载流子D 少数载流子
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考题 单选题下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。A 温度提高导电能力提高B 有两种载流子C 电阻率很小，接近金属导体D 参杂质后导电能力提高
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