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金属电阻应变片阻值的变化只与受力所导致的形变有关,与其它因素无关。


参考答案和解析
错误
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考题 电阻应变片是基于导体、半导体材料在外力作用下发生机械形变导致其电阻值发生变化的原理。() 此题为判断题(对,错)。

考题 电阻应变片利用导体、半导体材料在外力作用下发生机械形变,导致其电阻值发生变化的原理。() 此题为判断题(对,错)。

考题 张力计中,半导体应变片受力变形后其电阻值将发生变化。() 此题为判断题(对,错)。

考题 电阻应变片的灵敏度系数K指的是(  )。 A、应变片电阻值的大小 B、单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C、应变片金属丝的截面积的相对变化 D、应变片金属丝电阻值的相对变化

考题 载荷传感器为一个桥式应变片,在重力作用下,()(贴有应变片)发生形变,导致应变片形变,引起桥电路的各臂电阻变化,得到一个与形变线性的输出,通过放大器放大和变送器电路得到信号输出。A、应变片B、压力C、弹性体D、膜片

考题 载荷传感器为一个桥式应变片,在重力作用下,弹性体(贴有应变片)发生(),导致应变片形变,引起桥电路的各臂电阻变化,得到一个与形变线性的输出,通过放大器放大和变送器电路得到信号输出。A、位移B、形变C、转动D、水平上定向移动

考题 载荷传感器为一个桥式应变片,在重力作用下,弹性体(贴有应变片)发生形变,导致应变片形变,引起桥电路的各臂电阻变化,得到一个与形变线性的输出,通过放大器放大和变送器电路得到()信号输出。A、4~20mAB、5~15mAC、5~20mAD、4~15mA

考题 载荷传感器为一个桥式应变片,在重力作用下,弹性体(贴有应变片)发生形变,导致应变片形变,引起()的各臂电阻变化,得到一个与形变线性的输出,通过放大器放大和变送器电路得到信号输出。A、桥电路B、线圈C、时间D、闭合电路

考题 下列()变送器是将电阻应变片粘合基体上,当基体受力变化,电阻应变片产生形变使阻值改变,导致加在电阻上的电压发生变化。A、应变式B、压电式C、压阻式D、电容式

考题 载荷传感器为一个桥式应变片,在重力作用下,弹性体(贴有应变片)发生形变,导致应变片形变,引起桥电路的各臂()变化,得到一个与形变线性的输出,通过__放大和变送器电路得到信号输出。A、电阻B、电流C、电压D、电容

考题 载荷传感器为一个桥式应变片,在重力作用下,弹性体(贴有应变片)发生形变,导致应变片形变,导致桥电路的各臂电阻变化,得到一个与形变线性的输出,通过放大器放大和变送器电路得到5~20mA信号输出。

考题 电阻应变片的绝缘电阻是指已粘贴的应变片的  引线与被测试件之间的电阻值。

考题 金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

考题 应变片绝缘电阻是指已粘贴的应变片的()与()之间的电阻值。

考题 应变片绝缘电阻是指已粘贴的应变片的()之间的电阻值。A、覆盖片与被测试件B、基片与被测试件C、引线与被测试件

考题 金属应变片与半导体应变片在工作原理上都是利用金属形变引起电阻的变化。

考题 金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用()引起的电阻变化,后者利用()变化引起的电阻变化。

考题 关于电阻应变片,下列说法中正确的是()A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化

考题 试述金属电阻应变片与半导体电阻应变片的应变效应有什么不同?

考题 金属电阻应变片由于温度变化导致其电阻值发生变化的原因是什么?以及相应的补偿措施?

考题 金属电阻应变片受力会产生电阻值的变化,其主要原因是()A、压阻效应B、压磁效应C、压电效应D、电阻丝的几何尺寸变化

考题 单选题金属电阻应变片受力会产生电阻值的变化,其主要原因是()A 压阻效应B 压磁效应C 压电效应D 电阻丝的几何尺寸变化

考题 单选题电阻应变片的灵敏度系数K指的是()。A 应变片电阻值的大小B 单位应变引起的应变片相对电阻值变化C 应变片金属丝的截面积的相对变化D 应变片金属丝电阻值的相对变化

考题 填空题应变片绝缘电阻是指已粘贴的应变片的()与()之间的电阻值。

考题 填空题电阻应变式传感器:传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应,即在外力作用下产生机械形变,从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有()和()两类。

考题 单选题()传感器是通过改变电路中电阻值的大小,实现将位移转换为电阻值的变化。A 金属电阻应变片式B 变极距式C 线绕变阻式D 半导体应变片

考题 问答题金属电阻应变片由于温度变化导致其电阻值发生变化的原因是什么?以及相应的补偿措施?

考题 填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。