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1、在MOSFET中，若衬底为p型，栅极加大的___电压时，形成n型反型层；若衬底为n型，栅极加大的___电压时，形成p型反型层。

A．正、正

B．正、负

C．负、正

D．负、负

参考答案和解析
正、负
更多 “1、在MOSFET中，若衬底为p型，栅极加大的___电压时，形成n型反型层；若衬底为n型，栅极加大的___电压时，形成p型反型层。A．正、正B．正、负C．负、正D．负、负” 相关考题
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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考题 A.图（1）是P型，图（2）是N型 B.图（1）是N型，图（2）是N型 C.图（1）是P型，图（2）是P型 D.图（1）是N型，图（2）是P型
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考题 SSGF新建造体系墙体为预制墙板时，墙面是做法是（）A、抹灰+N型腻子层+乳胶漆B、抹灰+N型腻子层+PVC墙纸C、N型腻子层+PVC墙纸D、薄抹灰+N型腻子层+乳胶漆
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考题 电压门控钙通道不包括：A、L型B、S型C、N型D、T型E、P型
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考题 在N型半导体中若掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。
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考题 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
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考题 通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
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考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种？（）A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SSC、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
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考题 通常将开始形成反型层所需的VGS值称为（）电压。
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考题 电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
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考题 当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
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考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
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考题 多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
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考题 单选题按照衬底材料不同，硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。它们主要有两个不同点：请选择正确的答案（）A 2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底；2CU型管还设了一个环极；B 2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2CU型管还设了一个环极；C 2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极；D 2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极。
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考题 填空题在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加（），并用金属线把这个（）与P型衬底内的（）电位相连接。
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考题 判断题对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。A 对B 错
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考题 单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A 空穴是多数载流子B 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A 只存在一种载流子：自由电子B 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
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考题 填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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考题 单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A 空穴移向衬底深处B 空穴移向二氧化硅层C 电子移向二氧化硅层D 电子移向衬底层深处
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考题 填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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