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判断题
对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。
A
对
B
错
参考答案
参考解析
解析：
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考题
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
考题
各种踢脚线的不同基层衬底为（）。A、木踢脚板以木基层为衬底B、聚氯乙烯塑料踢脚板以木基层为衬底C、氯化聚乙烯塑料卷材踢脚板以水泥类基层为衬底D、石材踢脚板以水泥类基层为衬底E、玻璃踢脚板既有以水泥类基层为衬底，也有木基层为衬底
考题
多选题下列关于保护环说法正确的是（）A保护环的目的是给衬底或井提供均匀的偏置电压。B保护环可以接在VDD或GND上。C保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。D保护环无助于Latchup效应的避免。
考题
单选题按照衬底材料不同，硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。它们主要有两个不同点：请选择正确的答案（）A
2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底；2CU型管还设了一个环极；B
2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2CU型管还设了一个环极；C
2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极；D
2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极。
考题
单选题下列关于Latch up效应说法不正确的是（）A
衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。B
Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。C
Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。D
Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。
考题
多选题各种踢脚线的不同基层衬底为（）。A木踢脚板以木基层为衬底B聚氯乙烯塑料踢脚板以木基层为衬底C氯化聚乙烯塑料卷材踢脚板以水泥类基层为衬底D石材踢脚板以水泥类基层为衬底E玻璃踢脚板既有以水泥类基层为衬底，也有木基层为衬底
考题
单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A
空穴移向衬底深处B
空穴移向二氧化硅层C
电子移向二氧化硅层D
电子移向衬底层深处
考题
填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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