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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

  • A、n型掺杂区
  • B、P型掺杂区
  • C、栅氧化层
  • D、场氧化层

参考答案

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考题 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
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考题 反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
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考题 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A、铜B、铝C、金D、二氧化硅
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考题 在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
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考题 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A、气体B、等离子体C、固体D、液体
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考题 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
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考题 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
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考题 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A、多晶硅B、单晶硅C、铝硅铜合金D、铜
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考题 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅
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考题 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
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考题 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
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考题 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
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考题 硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
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考题 可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。
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考题 问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
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考题 问答题定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
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考题 判断题集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。A 对B 错
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考题 问答题Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？
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考题 填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。
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考题 问答题列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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考题 判断题在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。A 对B 错
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考题 问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
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考题 单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。A a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；B b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；C c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
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考题 问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
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考题 判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A 对B 错
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