考题
N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
考题
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
考题
N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
考题
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
考题
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
考题
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
考题
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
考题
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
考题
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
考题
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
考题
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
考题
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
考题
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
考题
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
考题
填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。
考题
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
填空题N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。