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入射光频率低于物体红限频率时,增大入射光的光强可以使物体产生光电子逸出。


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考题 在光线作用下,入射光频率()于红限频率,即使光线微弱,也会有光电子射出。A、高B、低C、无影响D、等于

考题 光电效应中,入射光的频率()红限频率(截止频率),才可能产生光电子。 A、大于、等于B、小于C、小于﹑等于D、任何情况

考题 II.多项选择题6.光电效应的实验结论是:对于某种金属( )(A)无论光强多强,只要光的频率小于极限频率就不能产生光电效应(B)无论光的频率多低,只要光照时间足够长就能产生光电效应(C)超过极限频率的入射光强度越弱,所产生的光电子的最大初动能就越小(D)超过极限频率的入射光频率越高,所产生的光电子的最大初动能就越大

考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称()效应;入射光强改变物质导电率的现象称()效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()效应。

考题 关于光电效应有下列说法: (1)任何波长的可见光照射到任何金属表面都能产生光电效应; (2)若入射光的频率均大于一给定金属红限,则该金属分别受到不同频率,强度相等的光照射时,释出的光电子的最大初动能也不同; (3)若入射光的频率均大于一给定金属红限,则该金属分别受到不同频率,强度相等的光照射时,单位时间释出的光电子数一定相等; (4)若入射光的频率均大于一给定金属的红限,则当入射光频率不变而强度增大一倍时,该金属的饱和光电流也增大一倍. 其中正确的是:()A、(1),(2),(3)B、(2),(3),(4)C、(2),(3)D、(2),(4)

考题 受激辐射与自发辐射的区别是:()A、受激辐射光子的频率取决于两能级之差B、出射光子的能量比入射光子的能量增加一倍C、出射光强比入射光强增加一倍D、出射光子与入射光子的频率、相位,振动方向及传播方向都相同

考题 若入射光的频率均大于一给定金属的红限,则当入射光频率不变而强度增大一倍时,该金属的饱和光电流也增大一倍。

考题 关于光电效应,下列说法中唯一正确的是()A、金属的逸出功越大,产生光电子所需的时间越长B、金属的逸出功越大,光电效应的红限频率越高C、入射光强度越大,光电子的初动能越大D、入射光强度越大,遏止电压越高

考题 光电效应中,产生的光电子的初动能与什么有关?A、光照射的时间B、入射光的频率C、截止频率

考题 当一定波长入射光照射物体时,反映该物体光电灵敏度的是()。A、红限B、量子效率C、逸出功D、普朗克常数

考题 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为(),入射光强改变物质导电率的物理现象称为()。

考题 只有当入射光频率高于红限频率时,光电效应才能够产生。

考题 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,入射光强改变物质导电率的物理现象称为内光电效应。

考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应;入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()。

考题 光电子逸出时具有的初始动能与光的频率有关。特定材料具有特定的逸出功,存在一个入射光的极限频率(红限频率),仅当入射光频率大于该频率时,才会有电子逸出。

考题 金属的光电效应的红限依赖于()A、入射光的频率B、入射光的强度C、金属的逸出功D、入射光的频率和金属的逸出功

考题 在光电效应实验中,如果保持入射光的频率不变(超过红限)而增加光强,则随之增加的是()A、遏止电势差B、饱和光电流C、光电子的最大初动能D、光电子的能量

考题 当一束光照射某金属时,未出现光电效应。欲使该使金属产生光电效应,则应()A、尽可能增大入射光强度B、尽可能延长照射时间C、选用波长更短的入射光D、选用频率更小的入射光

考题 关于光电效应有下列说法,其中正确的是() (1)任何波长的可见光照射到任何金属表面都能产生光电效应; (2)若入射光的频率均大于一给定金属的红限,则该金属分别受到不同频率的光照射时,释出的光电子的最大初动能也不同; (3)若入射光的频率均大于一给定金属的红限,则该金属分别受到不同频率、强度相等的光照射时,单位时间释出的光电子数一定相等; (4)若入射光的频率均大于一给定金属的红限,则当入射光频率不变而强度增大一倍时,该金属的饱和光电流也增大一倍。A、(1),(2),(3)B、(2),(3),(4)C、(2),(3)D、(2),(4)

考题 光电效应中的红限频率依赖于()A、入射光的强度B、入射光的频率C、入射光的颜色D、金属的逸出功

考题 判断题光电子逸出时具有的初始动能与光的频率有关。特定材料具有特定的逸出功,存在一个入射光的极限频率(红限频率),仅当入射光频率大于该频率时,才会有电子逸出。A 对B 错

考题 多选题对光电效应的研究结果,下列叙述中正确的是()A入射光的频率必须大于极限频率时才能产生光电效应B光电子的发射几乎是瞬时的C产生光电效应时,光电流强度与入射光强度成正比D光电子的最大初动能与入射光的频率成正比

考题 填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应;入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()。

考题 单选题入射光照射到某金属表面上发生光电效应,若入射光的强度减弱,频率保持不变,那么()A 从光照至金属表面上到发射出光电子之间的时间间隔将增大B 逸出光电子的最大初动能将减小C 单位时间内此金属表面逸出的光电子数量减小D 有可能不发生光电效应.

考题 单选题A 逸出功与v有关B Ekm与入射光强度成正比C vv0时,会逸出光电子D 图中直线的斜率与普朗克常量有关

考题 单选题爱因斯坦提出了光量子概念并成功地解释光电效应的规律而获得1921年的诺贝尔物理学奖。某种金属逸出光电子的最大初动能Ekm与入射光频率v的关系如图所示,其中v0为极限频率。从图中可以确定的是( )。A 逸出功与v有关B Ekm与入射光强度成正比C vv0时,会逸出光电子D 图中直线的斜率与普朗克常量有关

考题 填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称()效应;入射光强改变物质导电率的现象称()效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()效应。

考题 单选题当一定波长入射光照射物体时,反映该物体光电灵敏度的是()。A 红限B 量子效率C 逸出功D 普朗克常数