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砷化镓的禁带宽度比较大，制造的器件工作温度高。（）

参考答案和解析
1.424eV
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考题 薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。 A、多晶体B、非晶体C、砷化镓D、单晶体
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考题 发光二极管一般是由半导体材料砷化镓（GaAs）制成。
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考题 镓砷磷是砷化镓和磷化镓的固溶体，是一种（）材料。
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考题 砷化镓相对于硅的优点是什么？
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考题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
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考题 下列材料属于N型半导体是（）。A、硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）C、砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
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考题 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。A、锡B、硼C、磷D、锰
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考题 霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟
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考题 制造工艺是指在硅材料上生产CPU时其内部各元器件连接线的宽度，宽度越低表示CPU的制造工艺越高。
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考题 转换效率比较高的太阻电池材料是（）。A、砷化镓B、非晶硅C、单晶硅D、陶瓷
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考题 以下不属于太阳能光伏电池材料的是（）。A、硫化镉B、砷化镓C、氟化铵D、多晶硅
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考题 硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。
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考题 砷化锌，砷化镓
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考题 具有理疗作用的激光类型是（）A、氦氖激光B、强脉冲光C、砷化镓半导体激光D、铜蒸气激光
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考题 .LED的制成原料包含（）。A、锗化钾B、砷化镓C、磷化镓D、氰化钾
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考题 硅二极管反向导通电流一般（）。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
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考题 填空题砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。
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考题 多选题.LED的制成原料包含（）。A锗化钾B砷化镓C磷化镓D氰化钾
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考题 问答题简述砷化镓单晶的主要制备方法。
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考题 问答题砷化镓相对于硅的主要缺点是什么？
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考题 问答题砷化镓相对于硅的优点是什么？
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考题 填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
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考题 单选题（）是最常用的一种半导体材料。A 砷化镓B 硅C 磷D 锢
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考题 填空题半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。
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考题 单选题把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。A 改变禁带宽度；B 产生复合中心；C 产生空穴陷阱；D 产生等电子陷阱。
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