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禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

  • A、越不容易受
  • B、越容易受
  • C、基本不受

参考答案

更多 “禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受” 相关考题
考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
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考题 非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
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考题 若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
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考题 N型半导体中多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
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考题 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
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考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
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考题 N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
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考题 半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
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考题 由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）A、不带电的B、带正点的C、带负电的
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考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A 比半导体的大B 比半导体的小C 与半导体的相等
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考题 单选题关于脑电记录的滤波的描述，正确的是（　　）。A 记录带通越宽，则脑电信号的保真性越差B 记录带通越宽，则外界信号的干扰越弱C 滤波造成的波幅衰减不应超过50%D 记录带通越宽，则脑电信号的保真性越好E 如高频滤波是100Hz，则100Hz以上的信号完全被衰减
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A 禁带B 分子C 粒子D 能带
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考题 问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。A 对B 错
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考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
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